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http://www.dlc.xjtu.edu.cn/xxzykafw/kfzy.html半导体物理复习题
一、选择题
1.硅晶体结构是金刚石结构,每个晶胞中含原子个数为(D)P1A.1B.2C.4D.82.关于本征半导体,下列说法中错误的是(C)P65A.本征半导体的费米能级EF=Ei基本位于禁带中线处B.本征半导体不含有任何杂质和缺陷C.本征半导体的费米能级与温度无关,只决定于材料本身D.本征半导体的电中性条件是qn0=qp03.非平衡载流子的复合率定义为单位时间单位体积净复合消失的电子-空穴对数下面表达式中不等于复合率的是(D)P130A.B.C.D.4.下面pn结中不属于突变结的是(D)P
158、159A.合金结B.高表面浓度的浅扩散p+n结C.高表面浓度的浅扩散n+p结D.低表面浓度的深扩散结
5.关于pn结,下列说法中不正确的是(C)P
158、160A.pn结是结型半导体器件的心脏B.pn结空间电荷区中的内建电场起着阻碍电子和空穴继续扩散的作用C.平衡时,pn结空间电荷区中正电荷区和负电荷区的宽度一定相等D.所谓平衡pn结指的是热平衡状态下的pn结
6.对于小注入下的N型半导体材料,下列说法中不正确的是(B)P128A.B.C.D.
7.关于空穴,下列说法不正确的是(C)P15A.空穴带正电荷B.空穴具有正的有效质量C.空穴同电子一样都是物质世界中的实物粒子D.半导体中电子空穴共同参与导电
8.关于公式,下列说法正确的是(D)P
66、67A.此公式仅适用于本征半导体材料B.此公式仅适用于杂质半导体材料C.此公式不仅适用于本征半导体材料,也适用于杂质半导体材料D.对于非简并条件下的所有半导体材料,此公式都适用
9.对于突变结中势垒区宽度,下面说法中错误的是(C)P177A.p+n结中B.n+p结中C.与势垒区上总电压成正比D.与势垒区上总电压的平方根成正比
10.关于有效质量,下面说法错误的是(D)P
13、14A.有效质量概括了半导体内部势场的作用B.原子中内层电子的有效质量大,外层电子的有效质...。