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文本内容:
第一章半导体中的电子状态§
1.1锗和硅的晶体结构特征金刚石结构的基本特征§
1.2半导体中的电子状态和能带电子共有化运动概念绝缘体、半导体和导体的能带特征几种常用半导体的禁带宽度;本征激发的概念§
1.3半导体中电子的运动有效质量导带底和价带顶附近的Ek~k关系;半导体中电子的平均速度;有效质量的公式§
1.4本征半导体的导电机构空穴空穴的特征带正电;;;§
1.5回旋共振§
1.6硅和锗的能带结构导带底的位置、个数;重空穴带、轻空穴第二章半导体中杂质和缺陷能级§
2.1硅、锗晶体中的杂质能级基本概念施主杂质,受主杂质,杂质的电离能,杂质的补偿作用§
2.2Ⅲ—Ⅴ族化合物中的杂质能级杂质的双性行为第三章半导体中载流子的统计分布热平衡载流子概念§
3.1状态密度定义式;导带底附近的状态密度;价带顶附近的状态密度§
3.2费米能级和载流子的浓度统计分布Fermi分布函数;Fermi能级的意义它和温度、半导体材料的导电类型、杂质的含量以及能量零点的选取有关1)将半导体中大量的电子看成一个热力学系统,费米能级是系统的化学势;2)可看成量子态是否被电子占据的一个界限3)的位置比较直观地标志了电子占据量子态的情况,通常就说费米能级标志了电子填充能级的水平费米能级位置较高,说明有较多的能量较高的量子态上有电子Boltzmann分布函数;导带底、价带顶载流子浓度表达式,导带底有效状态密度,价带顶有效状态密度载流子浓度的乘积的适用范围§
3.
3.本征半导体的载流子浓度本征半导体概念;本征载流子浓度;载流子浓度的乘积;它的适用范围§
3.4杂质半导体的载流子浓度电子占据施主杂质能及的几率是空穴占据受主能级的几率是施主能级上的电子浓度为受主能级上的空穴浓度为电离施主浓度为电离受主浓度为费米能级随温度及杂质浓度的变化§
3.5一般情况下的载流子统计分布§
3.
6.简并半导体
1、重掺杂及简并半导体概念;
2、简并化条件n型,具体地说1)ND接近或大于NC时简并;2)ΔED小,则杂质浓度ND较小时就发生简并;3)杂质浓度越大...。