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文本内容:
硅集成电路工艺基础绪论单项工艺的分类
1、图形转换光刻、刻蚀
2、掺杂扩散、离子注入
3、制膜氧化、化学气相淀积、物理气相淀积第2章氧化SiO2的作用
1、在MOS电路中作为MOS器件的绝缘栅介质,作为器件的组成部分
2、作为集成电路的隔离介质材料
3、作为电容器的绝缘介质材料
4、作为多层金属互连层之间的介质材料
5、作为对器件和电路进行钝化的钝化层材料
6、扩散时的掩蔽层,离子注入的有时与光刻胶、Si3N4层一起使用阻挡层热氧化方法制备的SiO2是无定形制备二氧化硅的方法热分解淀积法、溅射法、真空蒸发法、阳极氧化法、化学气相淀积法、热氧化法;热氧化法制备的SiO2具有很高的重复性和化学稳定性,其物理性质和化学性质不太受湿度和中等热处理温度的影响SiO2的主要性质密度表征致密程度折射率表征光学性质密度较大的SiO2具有较大的折射率波长为5500A左右时,SiO2的折射率约为
1.46电阻率与制备方法及所含杂质数量等因素有关,高温干氧氧化制备的电阻率达1016Ω·cm介电强度单位厚度的绝缘材料所能承受的击穿电压大小与致密程度、均匀性、杂质含量有关一般为106~107V/cm(10-1~1V/nm)介电常数表征电容性能(SiO2的相对介电常数为
3.9)腐蚀化学性质非常稳定,只与氢氟酸发生反应还可与强碱缓慢反应薄膜应力为压应力晶体和无定形的区别桥键氧和非桥键氧桥联氧与两个相邻的Si-O四面体中心的硅原子形成共价键的氧非桥联氧只与一个Si-O四面体中心的硅原子形成共价键的氧非桥联氧越多,无定型的程度越大,无序程度越大,密度越小,折射率越小无定形SiO2的强度桥键氧数目与非桥键氧数目之比的函数结晶态和无定形态区分——非桥联氧是否存在杂质分类网络形成者和网络改变者网络形成者可以替代SiO2网络中硅的杂质,即能代替Si-O四面体中心的硅、并能与氧形成网络的杂质网络改变者存在于SiO2网络间隙中的杂质SiO2作为掩蔽层对硼、磷有效,对钠离子无效B、P、As等常用杂质的扩散系数小,SiO2对这类杂质可以起掩蔽作用Ga、某些碱金属(Na)的扩散系数大,SiO2对这类杂质就起不到掩蔽作用...。