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文本内容:
《模拟电子技术》综合复习资料第一章常用半导体器件
一、选择
1、在晶体管放大电路中,测得晶体管的各个电极的电位如下图所示,该晶体管的类型是[A]A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型锗管2V6VD.PNP型锗管
1.3V
2、三极管各个电极的对地电位如下图所示,可判断其工作状态是[D]A.饱和B.放大C.截止D.已损坏
3、在如下图所示电路中,当电源V=5V时,测得I=1mA若把电源电压调整到V=10V,则电流的大小将是[C]A.I=2mAB.I2mAC.I2mAD.不能确定
4、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于[B]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷
5、二极管的主要特性是[C]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性
6、温度升高时,晶体管的反向饱和电流ICBO将[B]A.增大B.减少C.不变D.不能确定
7、下列选项中,不属三极管的参数是[B]A.电流放大系数βB.最大整流电流IFC.集电极最大允许电流ICMD.集电极最大允许耗散功率PCM
8、温度升高时,三极管的β值将[A]A.增大B.减少C.不变D.不能确定
9、在N型半导体中,多数载流子是[A]A.电子B.空穴C.离子D.杂质
10、下面哪一种情况二极管的单向导电性好[A]A.正向电阻小反向电阻大B.正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D.正向电阻反向电阻都大
11、在P型半导体中,多数载流子是[B]A.电子B.空穴C.离子D.杂质
二、填空
1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度,而少数载流子的浓度则与本征激发有很大关系
2、温度升高时,晶体管的电流放大系数β增大,反向饱和电流ICBO增大,正向结电压UBE变小a.变大,d.变小,c.不变
3、在本征半导体中,电子浓度等于空穴浓度;
4、在P型半导体中,电子浓度小于空穴浓度;
5、在N型半导体中,电子浓度大于空穴浓度
4、二极管的最...。