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4HSiC纳米薄膜的微结构及其光电性质研究4H-SiC纳米薄膜的微结构及其光电性质研究采用新设计的电极结构的等离子体增强化学气相沉积PECVD技术在高功率密度、高氢稀释比、低温、偏压及低反应气压的条件下在衬底表面形成双等离子流增加了衬底表面SiC的成核概率增强成核作用形成纳米晶.采用高H2等离子体刻蚀弱的、扭曲的、非晶Si-C及Si-Si和Si-H等键时由于H等离子体对纳米SiC晶粒与非晶态键的差异刻蚀作用产生自___生长发生晶化.Ra___n光谱和透射电子衍射TEM的测试结果表明纳米晶SiC是4H-SiC多型结构.电子显微照片表明平均粒径为16___形状为微柱体.实验结果指出SiC纳米晶的.形成必须经过偏压预处理成核并且其晶化存在一个功率密度阈值;当低于这一功率密度阈值时晶化消失;当超过这一阈值时纳米晶含量随功率密度的提高而增加.随着晶化作用的加强电导率增加.徐重阳邹雪城王长安赵伯芳周雪梅曾祥斌华中科技大学电子科学与技术系武汉430074【4H-SiC纳米薄膜的微结构及其光电性质研究】相关文章
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