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1.摩尔定律的内容单位面积芯片上所能容纳的器件数量,每12-18个月翻一番
2.摩尔定律得以保持的途径特征尺寸不断缩小、增大芯片面积及单元结构的改进
3.图形的加工是通过光刻和刻蚀工艺完成的
4.在场区中,防止出现寄生沟道的措施足够厚的场氧化层、场区注硼、合理的版图
5.形成SOI材料的三种主要技术注氧隔离技术、键合减薄技术、智能剥离技术
6.实际的多路器和逆多路器中输入和输出一般是多位信息,如果对m个n位数据进行选择,则需要n位m选一多路器
7.在氧化层上形成所需要的图形的步骤甩胶、曝光、显影、刻蚀、去胶
8.版图设计规则可以用两种形式给出微米规则和λ规则
9.常规CMOS结构的闩锁效应严重地影响电路的可靠性,解决闩锁效应最有效的办法是开发多晶硅技术
10.要实现四选一多路器,应该用2位二进制变量组成4个控制信号,控制4个数据的选择
11.摩尔分析了集成电路迅速发展的原因,他指出集成度的提高主要是三方面的贡献特征尺寸不断缩小、芯片面积不断增大、器件和电路结构的不断改进
12.缩小特征尺寸的目的使集成电路继续遵循摩尔定律提高集成密度;提高集成度可以使电子设备体积更小、速度更高、功耗更低;降低单位功能电路的成本,提高产品的性能/价格比,使产品更具竞争力
13.N阱CMOS主要工艺步骤衬底硅片的选择→制作n阱→场区氧化→制作硅栅→形成源、漏区→形成金属互连线
14.解决双极型晶体管纵向按比例缩小问题的最佳方案之一,就是采用多晶硅发射极结构,避免发射区离子注入对硅表面的损伤
15.n输入与非门设计考虑,根据直流特性设计Kr=KN/KP=n3/2;根据瞬态特性设计Kr=KN/KP=nn输入或非门设计考虑,根据直流特性设计Kr=KN/KP=n-3/2;根据瞬态特性设计Kr=Kr=KN/KP=1/n.
16.CE等比例缩小定律要求器件的所有几何尺寸,包括横向和纵向尺寸,都缩小k倍;衬底掺杂浓度增大K倍;电源电压下降K倍CV等比例缩小定律要求器件的所有几何尺寸都缩小K倍;电源电压保持不变;衬底掺杂浓度增大αK倍,以便使内部的耗尽层宽度和外部尺寸一起缩小QCE等比例缩小定律要求器件尺寸K倍缩小,电源电压减小α/K倍(...。