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高校材料科学基础复习题及答案姓名班级学号得分
一、单项选择题(每一道题1分)第1章原子结构与键合
1.高分子材料中的C-H化学键属于(A)氢键(B)离子键(C)共价键
2.属于物理键的是(A)共价键(B)范德华力(C)氢键
3.化学键中通过共用电子对形成的是(A)共价键(B)离子键(C)金属键第2章固体结构
4.面心立方晶体的致密度为C(A)100%(B)68%(C)74%
5.体心立方晶体的致密度为B(A)100%(B)68%(C)74%
6.密排六方晶体的致密度为C(A)100%(B)68%(C)74%
7.以下不具有多晶型性的金属是(A)铜(B)锰(C)铁
8.面心立方晶体的孪晶面是(A){112}(B){110}(C){111}
9.fcc、bcc、hcp三种单晶材料中,形变时各向异性行为最显著的是(A)fcc(B)bcc(C)hcp
10.在纯铜基体中添加微细氧化铝颗粒不属于一下哪种强化方式?(A)复合强化(B)弥散强化(C)固溶强化
11.与过渡金属最容易形成间隙化合物的元素是(A)氮(B)碳(C)硼
12.以下属于正常价化合物的是(A)Mg2Pb(B)Cu5Sn(C)Fe3C第3章晶体缺陷
13.刃型位错的滑移方向与位错线之间的几何关系?(A)垂直(B)平行(C)交叉
14.能进行攀移的位错必然是(A)刃型位错(B)螺型位错(C)混合位错
15.在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子,这样的缺陷称为(A)肖特基缺陷(B)弗仑克尔缺陷(C)线缺陷
16.原子迁移到间隙中形成空位-间隙对的点缺陷称为(A)肖脱基缺陷(B)Frank缺陷(C)堆垛层错
17.以下材料中既存在晶界、又存在相界的是(A)孪晶铜(B)中碳钢(C)亚共晶铝硅合金
18.大角度晶界具有____________个自由度(A)3(B)4(C)5第...。