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电源噪声问题解决新方案 影响双电源放大器总谐波失真加噪声THD+N特性的主要因素是输入噪声和输出级交叉失真单电源放大器的THD+N性能源于放大器的输入和输出级然而,输入级对THD+N的影响又让单电源放大器的这种规范本身复杂化来至于网络http://www.cdtarena.com 有两种单电源放大器拓扑可以接受电源之间的输入信号图1a所示拓扑具有一个互补差动输入级在该拓扑中,放大器的输入位于负轨附近时,PMOS晶体管为“开”,而NMOS晶体管为“关”当放大器的输入更接近于正电压轨时,NMOS晶体管为“开”,而PMOS晶体管为“关” 图1互补输入级、单电源放大器a带一个正充电泵的单差动对输入级b 这种设计拓扑在共模输入范围会存在极大的放大器失调电压差异在接地电压附近的输入范围,PMOS晶体管的失调误差为主要误差在正电源附近的区域,NMOS晶体管对主导失调误差由于放大器的输入通过这两个区域之间,因此两个对均为“开”最终结果是,输入失调电压将在两个级之间变化当PMOS和NMOS均为“开”时,共模电压区域约为400mV这种交叉失真现象会影响放大器的总谐波失真THD如果您以一种非反相结构来配置互补输入放大器,则输入交叉失真就会影响放大器的THD+N性能例如,在图2中,如果不出现输入过渡区域,则THD+N等于
0.0006%如果THD+N测试包括了放大器的输入交叉失真,则THD+N等于
0.004%您可以利用一种反相结构来避免出现这类放大器交叉失真 图2一个互补输入级单电源放大器的THD+N性能 另一个主要的THD+N影响因素是运算放大器的输出级通常,单电源放大器的输出级有一个AB拓扑请参见图1a输出信号做轨至轨扫描时,输出级显示出了一种与输入级交叉失真类似的交叉失真,因为输出级在晶体管之间切换一般而言,更高电平的输出级静态电流可以降低放大器的THD 放大器的输入噪声是影响THD+N规范的另一个因素高级别的输入噪声和/或高闭环增益都会增加放大器的总THD+N水平 要想优化互补输入单电源放大器的THD+N性能,可将放大器置于一个反相增益结构中,并保持低闭环增益如果系统要求放大器配置为非反相缓冲器,则选择一个具有单差动输入级和充电泵的放大器更为合适成都嵌入式培训哪里好?选择达内嵌入式培训开启企业定制就业直通车,达内科技满足你高薪就业梦想!找成都IT培训100%推荐就业的软件测试培训机构,请咨询达内在成都嵌入式培训的老师!达内培训费用?达内好不好?达内怎么样?达内就业?这些问题都可以在达内的网站上找到答案在达内科技学习可以申请先就业后付款的方式让刚毕业大学生免除在达内培训费用上的担忧100%推荐就业更是解决学员培训后的就业问题!。