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文本内容:
第二章例题1.使用共价键模型,形象而简单地说明半导体的
(1)失去原子;
(2)电子
(3)空穴;
(4)施主;
(5)受主例题2.使用能带模型,形象而简单地说明半导体的
(1)电子;
(2)空穴;
(3)施主;
(4)受主;
(5)温度趋于0K时,施主对多数载流子电子的冻结;
(6)温度趋于0K时,受主对多数载流子空穴的冻结;
(7)在不同能带上载流子的能量分布
(8)本征半导体;
(9)n型半导体;
(10)P型半导体;
(11)非间并半导体;
(12)间并半导体
(13)直接带隙半导体;
(14)间接带隙半导体;例题3.GaA的共价键模型如图,
(1)图中描述了GaAs中Ga和As原子__的价键模型,图中阴影处的Ga和As表示是要__的原子提示当把Ga和As原子移走时,它们将带走其成键电子
(2)重新画出GaA的共价键模型图,在图中有Si原子代替Ga和As原子的空位
(3)当Si原子代替Ga原子时,GaAs的掺杂是P型还是n型,___?
(4)当Si原子代替As原子时,GaAs的掺杂是P型还是n型,___?5画出掺杂GaA的能带图,(a)Ga原子的位置由Si原子取代;(b)As原子的位置由Si原子取代第三章例题31.有一n型半导体,除施主杂质浓度ND外,还含有少量的受主,其浓度为NA,求弱电离情况下电子浓度的表达式例题4两块半导体材料A与B除了禁带宽度不同,其他参数完全相同A的禁带宽度为
1.0eV,B的禁带宽度为
1.2eV求T=300K时两种材料的n的比值例5制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层,再在外延层中扩散硼、磷而成的
(1)设n型硅单晶衬底是掺锑的,锑的电离能为
0.039eV,300K时的EF位于导带下面
0.026eV处,计算锑的浓度和导带中电子浓度
(2)设n型外延层杂质均匀分布,杂质浓度为
4.6´1015cm-3计算300K时EF的位置及电子和空穴浓度
(3)在外延层中扩散硼后,硼的浓度分布随样品深度变化设扩散层某一深度处硼浓度为
5.2´1015cm-3计算300K时EF的位置及电子和空穴浓度
(4)如温度升到500K,计算
③中电子和空穴的浓度(500K本征载流子浓度ni=4´1014cm-3)第四章例题1一块杂质补偿半导体中,受主杂质和施主杂质的浓度恰好相等设杂质全部电离求T=300K时硅的电导率,杂质浓度分别为(a)b例2特定半导体内存在三种散射机制只存在一种散射机制时的迁移率为,只存在第二种散射机制时的迁移为,只存在第三种散射机制时的迁移率为.求总迁移率霍尔效应T=300K时,硅霍尔器件的参数如图2所示测得试确定
1.霍尔电压
2.导电类型
3.多数载流子浓度
4.多数载流子迁移率。