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集成电路设计基础复习提纲一EDA常用unix命令Ls:显示当前目录下的文件和路径Pwd:显示当前文件的绝对路径.cd:进入指定目录more显示文件内容cp;复制rm;删除mkdir;创建目录vi;创建或修改一个文件tar;打包文件zip;压缩文件unzip;解压文件ftp传送文件二基本概念1版图设计CIW命令解释窗口Library库,ReferenceLibrary相关库LibraryPath,库路径Cell单元View,视图Techfiler.tf工艺文件cds.lib库管理文件techfile.cds,ASCII文件LSW,涂层选择窗口display.drf,图层显示文件LayerPurposePair;涂层用途配对,CellviewAttributesandProperties;单元视图属性,Instance,单元2DIVA验正DRC设计规则检查EXTRACT(提取)ERC电路规则检查LVS(版图和电路图比较)Hierarchy(层次化Flatten平面化,DerivedLayer(导出层)OriginalLayer(原始层)Soft-Connect(软连接),RecognitionLayer(识别层),MatchType(匹配),permute(交换),prune(删除),三DIVA验正命令及操作1DIVA程序结构Drc图层工艺命令用限制块去包含或排除特定的命令群组改全局变量drc/extractdrc命令去检测EXT程序结构预先设定提取设备的声明定义设备识别层定义终端名定义软连接如需定义连接声明完成声明输出2图层处理geomNotgeomCat,GeomAndgeomOrgeomAndNotGeomXorgeomOutsidegeomInsideGeomButtinggeomCoincidentgeomEnclosegeomOverlapgeomSizegeomStretchsaveDerivedcopyGraphicsgeomErase,GeomXor这个命令输出两层或多层之间非公有的部分geomNot输出输入层的反geomCat使所有的输入层连续其输出包含所有的输入层GeomAnd与输出两个不同层次或边界间的交叠部分geomOr或输出所有的输入层geomAndNot与非输出第一层中未被第二层覆盖的部分相关命令geomInside选择完全处在第二输入层中的第一输入层geomOutside选择完全处在第二输入层之外的第一输入层GeomButting选择与第二输入层相外切的层次geomCoincident选择与第二输入层相内切的层次geomOverlap选择与第二输入层有公共面积的层次尺寸命令geomSize按输入的数值扩张或收缩输入层geomStretch扩张或收缩输入层的边界存储命令saveDerived将衍生层存入库中相关的视图中去copyGraphics从当前分析层拷贝源层次到特定层中去geomErase从所有的视图中删去指定原始图形层上的全部图形outLayer=geomBkgnd创建个长方形包围设计中的所有数据geomEnclose选择完全包含第二输入层的层次可以内切geomStraddle选取个被其他多变形横跨的多边形geomHoles从甜甜圈图形里生成图形4DRC操作步骤及常用命令widthnotchareasepencovlpWidth线宽:检查同一输入层中内边线到内边线的距离notch开槽:检查同一输入层中外边线到外边线的距离area面积:检查单一输入层的面积sep隔离:检查第一输入层的外边线到第二输入层外边线的距离enc包围:检查第一输入层的内边线到第二输入层外边线的距离ovlp覆盖:检查第一输入层的内边线到第二输入层内边线的距离5提取器件操作步骤?根据器件版图,写出提取Nmos器件程序?3提取nmos管的程序Via=geomOr“via”…ngate=geomAndndiffpoly1nsd=geomAndnotndiffpoly1ptap=geomAndNotpdiffnwellgeomConnectviacontactmetal1nsdpoly1ptapsubConn=geomStampsubptapextractDevicengatepoly1“G”nsd“S””D”subConn“B”“nmosivpcell”saveRecongnitionngate“poly1”saveInterconnectcontactmetal1poly1nsd”ndiff”根据器件版图,写出提取Pmos器件程序?6LVS操作步骤及命令PruneDevice忽略特定的设备在比较中permuteDevice允许mos结构与终端交换与类似与系列设备的合并parameterMatchType当遇到不模糊的线路时所调用的工艺参数技术规程compareDeviceProperty在版图和原理图里比较设备参数所调用的技术参数四设计方法1CIC设计流程?设计规划,建库,原理图输入,电路仿真,细胞模块版图,Topcell版图,输出GDSII,制掩膜,流片,封装测试2在CIC设计中建立设计库和单元的步骤?建库进入设计项目所在的文件夹,打开命令窗口输入icfb在ciw菜单栏选择file-craet–creatnewlibrary选择要连接的techfiler.tf或者悬着相应的库为链接库,然后根据指示完成余下的操作3库的路径编辑?4图层的选择及绘图的方法?在lsw选择图层选择(AV/NV/AS/NS);shift+middlemouselayertap.lsw-edit-layertap/[/t]选取点2次5版图编辑基本方法及常用命令的使用?新建,根据设计要求选择图层用不同的绘图命令绘制和按参数编辑,连接,测试6GDS数据输入输出步骤?工艺文件,建库,拉动相关库,符号库,原理图编辑,版图编辑7pk445chip电路、模块电路设计(结构)及工作原理?Pk445chip主要有两个放大器还有一个测量控制器和测量开关管以及两个单向二极管和信号存储器组成当一个峰值信号来到时第一个放大器把峰值信号跟随输出到信号存储器存储而峰值下降时通过第二个放大器的反馈使信号保持在第二个峰值来到前通过测量控制器控制MOS开关管放电使存储器复位版图设计方面主要是运放、测量控制器和测量开关管运放采用差分同相输入单端输出加上一个RC反馈网络作为频率补偿测量控制器和测量开关管采用简单的反相器加与非门和一个NMOS管子组成布局布线采用自动的布局布线8pk445chip版图设计的原则?匹配设计,抗干扰设计,抗寄生效应,可靠性五实验1版图编辑部分实验lab1-3,lab1-4,lab2-4,Lab2-5,lab3-1—lab3-52DIVA部分实验lab2-1,lab2-4,lab2-5,lab3-1,lab4-1,lab5-1lab5-3。