还剩11页未读,继续阅读
本资源只提供10页预览,全部文档请下载后查看!喜欢就下载吧,查找使用更方便
文本内容:
内容简介内容简介本书是“电子http://www.hopebook.net/keyword/
9415.htm\t_blank元器件质量与可靠性技术http://www.hopebook.net/keyword/
33256.htm\t_blank”从书之一,较全面地论述并介绍了电子元器件http://www.hopebook.net/keyword/dianziyuanqijian.htm\t_blank可靠性物理http://www.hopebook.net/keyword/wuli.htm\t_blank的基础http://www.hopebook.net/keyword/
12035.htm\t_blank知识和失效分析http://www.hopebook.net/keyword/
8252.htm\t_blank技术全书分为四个部分首先阐述了电子元器件失效分析中的理论http://www.hopebook.net/keyword/理论.htm\t_blank基础,包括有关原子物理学、材料http://www.hopebook.net/keyword/
7743.htm\t_blank学、化学、冶金学及元器件的基本工作原理,介绍了与元器件失效相关的制造http://www.hopebook.net/keyword/制造.htm\t_blank工艺和技术;第二部分论述了失效的物理模型,介绍了失效分析程序、常用的失效分析方法和技术,以及用于失效分析的较先进的微理化分析技术;第三部分结合具体的元器件微电子http://www.hopebook.net/keyword/微电子.htm\t_blank器件、阻容元件、继电器http://www.hopebook.net/keyword/电器.htm\t_blank及连接器、光电子http://www.hopebook.net/keyword/光电子.htm\t_blank器件和真空电子器件,以及元器件的引线和电极系统的失效模式和失效机理加以剖析,提出了提高电子元器件可靠性的措施最后阐述了元器件静电放电失效的原理和防护;元器件的辐射效应和抗辐射加固技术本书供从事各类电子元器件的研制、生产http://www.hopebook.net/keyword/shengchan.htm\t_blank和使用的科技人员、管理人员、质量和可靠性工作者学习与参考,也可供高等学校电子、电工、光电子、真空电子、材料和信息类等相关专业的师生阅读图书目录绪论
0.1信息时代与电子元器件
0.
1.121世纪是信息时代
0.
1.2信息技术的发展趋势
0.
1.3电子元器件的发展
0.2电子元器件的质量和可靠性
0.
2.1一代器件、一代整机、一代装备
0.
2.2电子元器件的定义
0.
2.3电子元器件可靠性物理研究的内容
0.
2.4电子元器件的质量和可靠性第1章电子元器件的理论基础
1.1固体及半导体导电理论简介
1.
1.1晶体的基本类型
1.
1.2晶体的结构
1.
1.3晶体的能带结构
1.
1.4n型和p型半导体
1.
1.5载流子的漂移与扩散
1.
1.6金属热电子发射和接触电势差
1.2基础元件
1.
2.1电阻器
1.
2.2电感器
1.
2.3电容器
1.3pn结
1.
3.1pn结的空间电荷区
1.
3.2pn结的伏安特性
1.
3.3pn结的势垒电容和扩散电容
1.
3.4pn结的击穿
1.4晶体三极管
1.
4.1半导体晶体管的发明
1.
4.2双极(型)晶体管的静态特性
1.
4.3双极晶体管的频率特性
1.5半导体表面概论
1.
5.1半导体表面效应
1.
5.2功函数和氧化层电荷
1.6mos场效应晶体管(mosfet)
1.
6.1mos晶体管的工作原理
1.
6.2mos晶体管的电流电压方程
1.7半导体的光-电子学http://www.hopebook.net/keyword/dianzixue.htm\t_blank效应
1.
7.1内光电效应
1.
7.2外光电效应
1.
7.3受激发射
1.8真空电子器件基础
1.
8.1什么是电子
1.
8.2自由电子在静电场中的运动
1.
8.3电子在磁场中的运动
1.
8.4电子在复合电场和磁场中的运动
1.9相图
1.
9.1一元相图
1.
9.2二元相图
1.
9.3共晶相图
1.
9.4包晶反应及其他反应
1.10金属膜及金属化层
1.
10.1金属膜的电阻
1.
10.2金属—绝缘体(膜)接触
1.
10.3金属—半导体的欧姆接触习题http://www.hopebook.net/keyword/
35258.htm\t_blank与思考题笫2章电子元器件的技术基础
2.1平面工艺与集成电路http://www.hopebook.net/keyword/dianlu.htm\t_blank
2.
1.1硅平面型晶体管
2.
1.2硅平面工艺的特点
2.
1.3集成电路http://www.hopebook.net/keyword/jichengdianlu.htm\t_blank的出现
2.
1.4mos晶体管在大规模集成电路中的重要地位
2.
1.5微电子工艺技术
2.2氧化工艺
2.
2.1sio2膜的特性
2.
2.2热生长氧化膜制备
2.
2.3氧化层错
2.3刻蚀技术
2.
3.1刻蚀工艺流程http://www.hopebook.net/keyword/流程.htm\t_blank
2.
3.2抗蚀剂
2.
3.3曝光技术
2.
3.4显影工序
2.
3.5套刻容差
2.
3.6刻蚀技术
2.
3.7干法刻蚀工艺的比较
2.4扩散法掺杂技术
2.
4.1微电子技术http://www.hopebook.net/keyword/
28193.htm\t_blank对掺杂的要求
2.
4.2固体中的扩散模型和杂质分布
2.
4.3扩散系数和扩散机制
2.
4.4微电子技术中的扩散方法
2.
4.5测量技术
2.5离子注入掺杂技术
2.
5.1离子注入深度和注入浓度分布
2.
5.2离子注入设备http://www.hopebook.net/keyword/
9629.htm\t_blank
2.
5.3注入损伤和退火
2.
5.4离子注入层的检测
2.
5.5离子注入与扩散法掺杂工艺的比较
2.6晶体外延生长技术
2.
6.1外延工艺的作用
2.
6.2外延设备和反应室中的工作状态
2.
6.3外延的基本原理
2.
6.4外延掺杂和杂质浓度分布
2.
6.5外延缺陷及降低缺陷的方法
2.
6.6其他外延生长技术
2.7表面薄膜气相淀积技术
2.
7.1物理气相淀积(pvd)技术
2.
7.2化学气相淀积(cvd)技术
2.
7.3台阶的覆盖问题
2.
7.4淀积方法的比较
2.8清洁处理
2.
8.1表面污染及来源
2.
8.2清洁处理方法的分类
2.
8.3等离子清洗
2.9双极集成电路制造工艺
2.10cmos集成电路制造工艺
2.11低压气体放电和等离子体
2.
11.1自持放电
2.
11.2等离子体的产生方法
2.
11.3气体放电中的物理和化学现象
2.12腐蚀
2.
12.1原电池的电极和电极反应
2.
12.2电极电势
2.
12.3电解
2.
12.4金属的腐蚀和钝化
2.
12.5原电池的电化学腐蚀
2.
12.6金属迁移习题与思考题第3章电子元器件失效的物理模型
3.1失效与环境应力
3.
1.1失效的定量判据
3.
1.2失效的分类
3.
1.3环境应力与失效
3.
1.4环境保护设计http://www.hopebook.net/keyword/
5919.htm\t_blank
3.
1.5材料的结构与失效
3.2失效物理模型
3.
2.1界限模型
3.
2.2耐久模型
3.
2.3应力-强度模型
3.
2.4反应速度论——阿列里乌斯arrhenius模型
3.
2.5反应速度论——艾林(eyring)模型
3.
2.6最弱环模型及串联模型
3.
2.7并联模型和筷子表模型
3.
2.8累积损伤(疲劳损伤)模型
3.3失效模式与失效机理
3.
3.1失效机理的各种主要原因
3.
3.2失效机理和失效模式的相关性
3.
3.3失效模式和失效机理随时间变化
3.
3.4失效模式和机理与质量等级的关系
3.
3.5集成电路的质量等级习题与思考题第4章失效分析和破坏性物理分析
4.1电子元器件失效分析的目的及作用
4.2失效分析工作的流程和通用原则
4.
2.1失效分析工作的流程
4.
2.2电子元器件失效分析的一些原则
4.3失效分析报告
4.
3.1失效的数据收集
4.
3.2失效分析报告内容
4.
3.3失效分析报告格式
4.
3.4失效分析报告的审查、处理和应用
4.4失效机理的验证试验和失效模式的统计评估
4.
4.1失效原因和机理的假设及分析
4.
4.2失效机理验证工作
4.
4.3估计失效模式的发生概率和危害性
4.5电子元器件失效分析的程序
4.
5.1电子元器件失效分析程序的步骤
4.
5.2中国http://www.hopebook.net/keyword/
34422.htm\t_blank军用标准http://www.hopebook.net/keyword/
13909.htm\t_blank的微电路失效分析程序
4.
5.3军用标准中微电路失效分析程序的特点
4.
5.4微电路失效分析程序的比较
4.6破坏性物理分析
4.
6.1破坏性物理分析的目的和试验项目
4.
6.2破坏性物理分析的作用与失效分析的关系
4.
6.3破坏性物理分析的方法和程序
4.
6.4破坏性物理分析案例http://www.hopebook.net/keyword/anli.htm\t_blank习题与思考题第5章电子元器件失效分析方法
5.1电子元器件失效分析的常用程序及方法
5.
1.1元器件的解焊技术
5.
1.2非破坏性的分析方法
5.
1.3半破坏性的分析方法
5.
1.4破坏性分析方法
5.
1.5综合评价http://www.hopebook.net/keyword/评价.htm\t_blank和对策
5.2失效分析中几种常用方法介绍
5.
2.1结截面显示方法
5.
2.2内涂料去除方法
5.
2.3钝化层等的去除方法
5.
2.4材料缺陷的显示方法
5.
2.5扩散管道显示方法
5.
2.6判断二氧化硅层针孔的几种方法
5.
2.7微小区域的探测技术
5.3从失效器件的电学特性分析失效
5.
3.1电连接性检测
5.
3.2端口的伏安特性检测
5.
3.3引出端之间的电测试
5.
3.4晶体管异常输出特性曲线
5.
3.5mos管异常输出特性曲线
5.
3.6测试分析时应注意的几个问题
5.4电子元器件失效分析技术
5.
4.1光学显微镜分析技术
5.
4.2红外显微镜分析技术
5.
4.3显微红外热像仪分析技术
5.
4.4声学显微镜分析技术
5.
4.5液晶热点检测技术
5.
4.6光辐射显微分析技术
5.
4.7判断失效部位和机理的方法
5.5电子元器件失效分析常用设备
5.
5.1元器件失效分析的常用设备
5.
5.2国外可靠性失效分析实验室设备情况习题与思考题第6章微分析技术
6.1引言
6.2电子显微镜和x射线谱仪
6.
2.1电子束与固体表面的作用
6.
2.2扫描电镜(sem)
6.
2.3电子探针x射线显微分析(edx、xes和wdx)
6.
2.4电子束测试系统(ebt)
6.
2.5透射电镜(tem)
6.3俄歇电子能谱(aes)
6.
3.1俄歇电子能谱仪的工作原理
6.
3.2俄歇电子能谱在电子元器件失效分析中的应用
6.
3.3综合性能分析装置
6.4二次离子质谱(sims)
6.
4.1离子质谱仪
6.
4.2sims在失效分析中的应用
6.5光电子能谱
6.
5.1x射线光电子能谱xpsesa
6.
5.2紫外光电子能谱(ups)
6.6卢瑟夫背散射频谱学(rbs)
6.7其他微分析技术
6.
7.1中子活化分析(naa)
6.
7.2x射线荧光(xrf)
6.
7.3激光http://www.hopebook.net/keyword/
31180.htm\t_blank反射(lr)
6.
7.4nra和edx
6.8检测缺陷的iddq测试技术习题与思考题笫7章在管理工作中的失效分析和失效分析事例
7.1电子元器件失效分析事例
7.
1.1齐纳二极管的失效分析
7.
1.2功率晶体管的疲劳寿命
7.
1.3由尘埃引起的开关接点接触不良的分析
7.
1.4对由硅污染引起的接触不良现象的分析
7.
1.5短路原因的分析
7.
1.6开路原因的分析
7.
1.7特性劣化原因的分析
7.
1.8钝化层过薄
7.
1.9氧化层缺陷
7.
1.10半导体器件内部可动多余物的失效分析
7.2失效分析在工程管理中的应用
7.
2.1电子元器件和vlsi的制造环境
7.
2.2vlsi对硅单晶材料的要求
7.
2.3液体中微粒子的测定
7.
2.4半导体的表面检测技术习题与思考题第8章电子元器件的电极系统及封装的失效机理
8.1金属膜和金属化层的失效机理
8.
1.1机械损伤
8.
1.2非欧姆接触和接触电阻过大
8.
1.3结尖峰与结穿刺的失效
8.
1.4铝金属化再结构造成器件失效
8.
1.5氧化层台阶处金属膜断路
8.
1.6过合金化造成器件失效
8.
1.7金属化互连线开路的失效定位方法
8.2金属的电迁移
8.
2.1电迁移现象
8.
2.2电迁移引起的器件失效模式
8.
2.3提高抗电迁移能力的措施
8.
2.4vlsi与电迁移
8.
2.5vlsi中的铜互连技术
8.3引线键合的失效机理
8.
3.1键合工艺差错造成失效
8.
3.2内引线断裂和脱键
8.
3.3金属间化合物使aual系统失效
8.
3.4热循环使引线疲劳而失效
8.
3.5内涂料应力造成断丝
8.
3.6键合应力过大造成失效
8.
3.7引线键合失效的分析技术
8.4电子元器件电极系统焊(压)接的失效
8.
4.1焊接、压接的失效模式
8.
4.2焊接的主要失效机理
8.
4.3消除焊接失效和隐患的措施
8.5芯片贴装失效机理
8.
5.1银浆烧结
8.
5.2合金焊
8.
5.3有机聚合物粘接
8.
5.4芯片粘接失效的分析技术
8.6电子元器件封装的可靠性
8.
6.1电子元器件封装的要求和类型
8.
6.2封装的失效模式
8.
6.3金属封装的失效机理
8.
6.4塑料封装的失效机理
8.
6.5封装失效的分析技术
8.7电极系统和封装的腐蚀
8.
7.1电子元器件外引线的腐蚀
8.
7.2电子元器件内引线的腐蚀
8.8电子元器件的热应力失效
8.
8.1热应力来源
8.
8.2热应力失效
8.
8.3电子元器件的热匹配设计
8.9提高电极系统和封装可靠性的基本保证
8.
9.1封装
8.
9.2金属
8.
9.3其他材料
8.
9.4内部导体
8.
9.5封装元件材料和镀涂
8.
9.6器件镀涂工艺
8.
9.7芯片的镀覆与安装http://www.hopebook.net/keyword/
26812.htm\t_blank
8.
9.8零件镀涂工艺
8.
9.9返工规定(gjb33a中规定)习题与思考题第9章半导体和微电子器件的失效和可靠性
9.1微电子器件的失效模式和失效机理
9.
1.1集成电路主要失效机理
9.
1.2半导体器件、集成电路失效模式与相应的失效机理
9.2微电子器件的表面失效模式与失效机理
9.
2.1氧化层中的电荷
9.
2.2二氧化硅层缺陷对器件性能的影响
9.
2.3二氧化硅中正电荷对器件性能的影响
9.
2.4硅-二氧化硅的界面陷阱电荷对器件性能的影响
9.3vlsi中金属-半导体接触系统的可靠性
9.
3.1铝—硅接触系统
9.
3.2硅化物对器件性能的影响及其可靠性问题
9.4微电子器件的体内失效模式和失效机理
9.
4.1热电效应引起器件的失效
9.
4.2晶体缺陷对器件性能和可靠性的影响
9.5微电子电路http://www.hopebook.net/keyword/dianzidianlu.htm\t_blank超薄栅介质的可靠性
9.
5.1概述
9.
5.2薄氧化层的与时间相关的介质击穿
9.
5.3热载流子效应
9.6过电应力失效
9.
6.1过电应力失效及其判定
9.
6.2过电应力耐量试验
9.
6.3微电子器件的过电应力失效案例
9.7闩锁效应
9.
7.1闩锁效应及其机理
9.
7.2闩锁发生条件
9.
7.3闩锁的检测方法
9.
7.4cmos电路的防闩锁设计
9.
7.5cmos电路闩锁失效的案例
9.8动态存储器中的软误差
9.
8.1产生存储器软失效的两种失效机理
9.
8.2产生软误差的条件
9.
8.3降低软误差率的方法
9.
8.4sram中典型问题的解决方法
9.9超大规模集成电路的主要失效机理和分析技术
9.
9.1超大规模集成电路(vlsi)的主要失效机理
9.
9.2vlsi漏电和短路的主要失效机理和失效定位技术
9.
9.3vlsi的失效分析技术的发展趋势习题与思考题第10章阻容元件的失效模式和失效机理
10.1电阻器的失效模式与失效机理
10.
1.1电阻器的主要参数和类别
10.
1.2电阻器常见失效模式与失效机理
10.
1.3电阻器失效机理分析
10.
1.4电阻器的失效分析方法
10.2电位器的失效模式与失效机理
10.
2.1电位器的主要参数和分类
10.
2.2常见失效模式与失效机理分析
10.3电容器的失效模式与失效机理
10.
3.1电容器的主要参数和失效分析程序
10.
3.2电容器的解剖和分析方法
10.
3.3电容器失效模式和失效机理
10.
3.4电容器失效机理分析
10.
3.5提高电容器可靠性的措施
10.
3.6电容器失效分析案例
10.4厚膜元件及互连线的失效模式与失效机理
10.
4.1薄膜元件及互连线的失效模式与失效机理
10.
4.2厚膜元件及互连线的失效模式和失效机理
10.
4.3混合电路焊接和封装的失效模式与失效机理习题与思考题第11章继电器http://www.hopebook.net/keyword/继电器.htm\t_blank和连接器的失效机理分析
11.1接触元件的可靠性物理
11.
1.1接触电阻及其失效
11.
1.2接点粘结失效的类型及原因
11.
1.3接点的电腐蚀
11.2继电器、连接器和开关的失效模式与失效机理
11.
2.1电磁继电器的失效模式、失效机理
11.
2.2连接器及开关的失效模式和失效机理
11.3继电器与连接器的失效分析
11.
3.1失效分析的内容
11.
3.2失效分析的程序
11.
3.3继电器失效分析示例习题与思考题第12章光电子元器件的可靠性
12.1激光器的可靠性
12.
1.1激光器基本理论
12.
1.2固体激光器的失效与可靠性
12.
1.3半导体激光器的失效与可靠性
12.
1.4气体激光器的失效与可靠性
12.2高功率绿光固体激光器的寿命分析
12.
2.1二极管泵浦绿光固体激光器系统组成及功能
12.
2.2二极管泵浦绿光固体激光器的寿命分析
12.3红外探测器
12.
3.1光子探测器
12.
3.2红外探测器的失效
12.4光纤传输系统
12.
4.1光源
12.
4.2光无源器件
12.
4.3光器件的发展与应用
12.5光电二极管的失效模式和失效机理
12.
5.1ingaas/inp光电二极管基本工作原理
12.
5.2pin是光电二极管基本结构图
12.
5.3基本工艺及技术
12.
5.4失效分析的常用程序和方法
12.
5.5主要失效模式和失效机理
12.6光缆的失效模式和失效机理
12.
6.1工作原理
12.
6.2分类、基本结构及特性
12.
6.3光缆的工艺过程及技术
12.
6.4主要失效模式和失效机理
12.
6.5失效分析常用方法习题与思考题第13章真空电子器件的可靠性
13.1真空电子器件的特点和重要性
13.
1.1真空电子器件的用途和含意
13.
1.2真空电子器件的基本特点
13.
1.3真空电子器件的分类
13.2微波管的主要参量
13.
2.1磁控管的简单工作原理
13.
2.2微波管的性能参量
13.3行波管的失效模式和失效机理
13.
3.1行波管的简单工作原理
13.
3.2行波管的可靠性
13.
3.3失效模式及提高可靠性的技术途径
13.
3.4失效分析案例
(3)
13.4真空电子器件阴极的可靠性
13.
4.1阴极发射材料
13.
4.2目前国内阴极存在的共性问题
13.
4.3解决目前阴极问题的措施和技术途径习题与思考题第14章电子元器件的静电放电损伤
14.1静电的产生与来源
14.
1.1静电的特性
14.
1.2静电的产生
14.
1.3静电的来源人和尘埃
14.2静电放电模型
14.
2.1人体模型(hbm)
14.
2.2带电器件模型(cdm)
14.
2.3电场感应模型(fim)
14.
2.4机械模型(mm)
14.
2.5带电芯片模型(ccm)
14.3静电放电灵敏度的测量
14.
3.1静电放电灵敏度(esds)的测量
14.
3.2静电敏感元器件的分类
14.4静电放电失效模式和失效机理
14.
4.1静电放电失效模式
14.
4.2静电放电失效机理
14.
4.3静电放电(esd)损伤的失效分析方法
14.
4.4静电放电(esd)损伤的失效案例
14.5对esd敏感元器件的失效机理和失效模式
14.
5.1mos结构
14.
5.2半导体结
14.
5.3薄膜电阻器
14.
5.4金属化条
14.
5.5采用非导电盖板、经过钝化的场效应结构
14.
5.6压电晶体
14.
5.7小间距电极
14.6防静电放电失效的防护网络设计
14.
6.1概述
14.
6.2防护网络基本单元设计规则
14.
6.3元器件和混合电路的设计规则
14.
6.4组件设计考虑
14.
6.5esds元器件保护网络
14.
6.6输入防护电路的实验研究
14.7静电放电失效的防护措施
14.
7.1防静电工作区(epa)
14.
7.2eds敏感元器件使用者的防静电措施
14.
7.3esds元器件包装、运送和储存过程中的防esd措施
14.
7.4器件使用时的防静电管理
14.
7.5防静电器材基本配置
14.
7.6制造集成电路净化间的静电防护习题与思考题第15章电子元器件的辐射效应
15.1辐射环境
15.
1.1核爆炸环境
15.
1.2空间辐射环境
15.2辐射与物质的相互作用
15.
2.1半导体材料的辐射效应
15.
2.2绝缘材料的辐射效应
15.
2.3电子材料http://www.hopebook.net/keyword/电子材料.htm\t_blank在辐射环境中的敏感性
15.
2.4物质中的辐射效应
15.3辐射对电子元器件性能的影响
15.
3.1辐射对双极器件性能的影响
15.
3.2辐射对场效应器件性能的影响
15.
3.3其他电子元器件的辐射效应
15.
3.4常用半导体分立器件的耐辐射特性
15.
3.5固态存储器的单粒子效应和多位翻转失效
15.4核辐射对微电子电路http://www.hopebook.net/keyword/微电子电路.htm\t_blank的影响
15.
4.1双极集成电路
15.
4.2cmos集成电路
15.
4.3几种数字集成电路的抗辐射特性
15.
4.4模拟http://www.hopebook.net/keyword/模拟.htm\t_blank和数模混合集成电路
15.5电子元器件抗辐射加固技术
15.
5.1抗辐射加固的一般方法
15.
5.2双极型晶体管的抗核加固技术
15.
5.3双极型集成电路的抗辐射加固技术
15.
5.4mos器件的抗辐射加固技术
15.
5.5光缆的抗核加固技术
15.6核辐射有关专业名词及技术用语习题与思考题附录a部分微分析法一览表附录b两种表面分析方法的性能比较附录c各种表面分析方法的性能比较参考文献序言/前言前言本书是“电子元器件质量与可靠性技术”丛书之一,重点阐述电子元器件失效分析中的理论基础、失效的物理模型、失效分析的方法和技术、剖析电子元器件的失效模型和失效机理、静电放电失效的防护和抗辐射加固技术可靠性物理是涉及到材料学、物理学(包括原子物理)、化学、冶金学和各种电子元器件专业诸多学科的综合知识,失效分析中涉及到电子元器件的工作原理、结构和工艺设计http://www.hopebook.net/keyword/gongyisheji.htm\t_blank、制造技术及测试和检测方法,并广泛采用各种理化分析仪器http://www.hopebook.net/keyword/
53890.htm\t_blank及设备进行分析与研究这些对可靠性工作者和可靠性物理专家不断地扩充知识面和更新知识是大有好处的本书共分四个部分第一部分为电子元器件理论基础与技术基础,第1章介绍了电子元器件工作原理有关的基本理论;第2章讲述了电子元器件特别是微电子器件的制造技术及加工工艺;失效分析中涉及的基础理论第二部分为电子元器件的失效分析,从第3~7章,分别介绍了失效分析的概念和程序;失效分析和破坏性物理分析方法;电子元器件失效的微(理化)分析技术、失效分析事例第三部分为电子元器件失效模式和失效机理,从第8~13章,分别阐述了各类电子元器件的失效模式和失效机理第四部分由第14章和第15章组成分别阐述了电子元器件的静电放电失效的模型、模式和防护;电子元器件的辐射效应和抗辐射的加固技术本书内容丰富、结构层次清晰、系统性好编写过程中力求理论和实践相结合;分析方法尽量贯彻标准;适当地给出实例,对那些想系统了解或学习电子元器件可靠性物理的读者有-定的帮助和借鉴由于时间紧,编写仓促,电子元器件的门类包含不够,失效的案例、失效的分析资料http://www.hopebook.net/keyword/ziliao.htm\t_blank及国内外的分析技术与手段等调研不足,有待今后进一步补充本人水平有限,书中有误之处,切望读者批评、指正本书是在总装备部电子元器件合同管理办公室领导的直接组织与支持下完成的在编写中得到了同事们的大力帮助和热忱鼓励,各方同行朋友们在百忙中给予了文献、资料的支持,中国电子科技集团第8研究所鲁家龙、第11研究所耿晓宇、第12研究所王小勇、第44研究所魏进、成都国光电气股份有限公司雷鹏兵、国营715厂安果芒、海军701所马卫东、北京七星华创电子股份有限公司杨雪等同志亲自参与了撰写及组编;航天一院林德键、航天772所李兴鸿、中国电子科技集团第5研究所恩云飞、中国电子科技集团第4研究所胡燕、北京航天航空大学郑鹏洲同志等对本书的一些章节提出了宝贵的意见和建议;张鹤鸣教授的精心策划,组织讨论并认真审校书稿;鼎力支持的还有各方的朋友贾新章、郝跃、张德胜、庄奕琪、陈松、杨银堂、蔡黎明和陈晓莉等;校内的老师冯晓丽和博士、硕士研究生胡辉勇、黄大鹏、朱永刚等给予了热情的帮助在此,一并表示衷心感谢!感谢我夫人于建华及姚东涛、姚东伟等家人!姚立真http://www.hopebook.net/keyword/
5954.htm\t_blank2004http://www.hopebook.net/keyword/
8817.htm\t_blank年4月于西安电子科技大学。