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现代Hynix内存代码编号含义HY5DU56822AT-H现代内存编号示意图 A部分标明的是生产此颗粒企业的名称——HynixB部分标明的是该内存模组的生产日期,以三个阿拉伯数字的形式表现第一个阿拉伯数字表示生产的年份,后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的 C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数由1-3位字母和数字共同组成其根据频率、延迟参数不同,分别可以用“D
5、D
43、D
4、J、M、K、H、L”8个字母/数字组合来表示其含义分别为D5代表DDR500(250MHz),延迟为3-4-4;D43代表DDR433(216MHz),延迟为3-3-3;D4代表DDR400(200MHz),延迟为3-4-4;J代表DDR333(166MHz),延迟为
2.5-3-3;M代表DDR266(133MHz),延迟为2-2-2;K代表DDR266A(133MHz),延迟为2-3-3;H代表DDR266B(133MHz),延迟为
2.5-3-3;L代表DDR200(100MHz),延迟为2-2-2 D部分编号实际上是由12个小部分组成,分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息具体详细内容如图二所示D部分编号12个小部分分解示意图采用现代颗粒的内存颗粒特写 第1部分代表该颗粒的生产企业“HY”是HYNIX的简称,代表着该颗粒是现代生产制造第2部分代表产品家族,由两位数字或字母组成,“5D”表示为DDR内存,“57”表示为SDRAM内存 第3部分代表工作电压,由一个字母组成其中含义为V代表VDD=
3.3Vamp;VDDQ=
2.5V;U代表VDD=
2.5Vamp;VDDQ=
2.5V;W代表VDD=
2.5Vamp;VDDQ=
1.8V;S代表VDD=
1.8Vamp;VDDQ=
1.8V来分别代表不同的工作电压 第4部分代表内存模组的容量和刷新设置,由两位数字或字母组成对于DDR内存,分别由“
64、
66、
28、
56、
57、
12、1G”来代表不同的容量和刷新设置其中含义为64代表64MB容量,4K刷新;66代表64MB容量,2K刷新;28代表128MB容量,4K刷新;56代表256MB容量,8K刷新;57代表256MB容量,4K刷新;12代表512MB容量,8K刷新;1G代表1GB容量,8K刷新 第5部分代表该内存颗粒的位宽,由1个或2个数字组成分为4种情况,分别用“
4、
8、
16、32”来分别代表4bit、8bit、16bit和32bit 第6部分表示的是Bank数,由1个数字组成有三种情况,分别是“1”代表2bank,“2”代表4bank,“4”代表8bank 第7部分代表接口类型,由一个数字组成分为三种情况,分别是“1”代表SSTL_3,“2”代表SSTL_2;“3”代表SSTL_18 第8部分代表该颗粒的版本,由一个字母组成,这部分的字母在26个字母中的位置越*后,说明该内存颗粒的版本越新,目前为止HY内存共有5个版本,表现在编号上,空白表示第一版,“A”表示第二版,依次类推,到第5版则有“D”来代表购买内存的时候版本越说明新电器性能越好 第9部分代表的是功耗,如果该部分是空白,则说明该颗粒的功耗为普通,如果该部分出现了“L”字母,则代表该内存颗粒为低功耗 第10部分代表内存的封装类型,由一个或两个字母组成由“T”代表TOSP封装,“Q”代表LOFP封装,“F”代表FBGA封装,“FC”代表FBGA(UTC8x13mm)封装 第11部分代表堆叠封装,由一个或两个字母组成空白代表普通;S代表Hynix;K代表Mamp;T;J代表其它;M代表MCP(Hynix);MU代表MCP(UTC 第12部分代表封装材料,由一个字母组成空白表示普通,“P”代表铅,“H”代表卤素,“R”代表铅和卤素 总的说来,其实只要记住第
2、
3、6和C部分等几处数字的实际含义,就能很轻松对使用现代DDRSDRAM内存颗粒的产品进行辨别尤其是C部分数字,它将很明确的告诉消费者,这款内存实际的最高工作状态是多少br总的来说购买采用现代颗粒的DDR400内存条,最好购买编号是“HYXXXXXXXDX”,对于DDR400内存来说编号的尾数最好是“D43”,因为“D”代表的是最新版的现代DDR内存颗粒,在超频方面其表现非常出色的表现而“D43”所代表的是216MHz的工作频率,将其运用在DDR400内存中,实际上是将“D43”降频为“D4”使用,具有很强的超频能力对于目前内存市场的发展和其优惠价格来说,512MB/DDR400和DDR2/533内存是现在最值得购买的内存,无论是其价格还是在用料上都是非常优惠和出色的,最后提醒大家的是购买内存时要注意售后服务.。