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电阻知识 导电体对电流的阻碍作用称着电阻,用符号R表示,单位为欧姆、千欧、兆欧,分别用Ω、kΩ、MΩ表示
一、电阻的型号命名方法 国产电阻器的型号由四部分组成(不适用敏感电阻) 第一部分主称,用字母表示,表示产品的名字如R表示电阻,W表示电位器 第二部分材料,用字母表示,表示电阻体用什么材料组成,T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕 第三部分分类,一般用数字表示,个别类型用字母表示,表示产品属于什么类型1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调 第四部分:序号,用数字表示,表示同类产品中不同品种,以区分产品的外型尺寸和性能指标等 例如RT11型普通碳膜电阻a1
二、电阻器的分类
1、线绕电阻器通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器
2、薄膜电阻器碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器
3、实心电阻器无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器
4、敏感电阻器压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器
三、主要特性参数
1、标称阻值电阻器上面所标示的阻值
2、允许误差标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差,它表示电阻器的精度 允许误差与精度等级对应关系如下±
0.5%-
0.
05、±1%-
0.1或00)、±2%-
0.2或0)、±5%-Ⅰ级、±10%-Ⅱ级、±20%-Ⅲ级
3、额定功率在正常的大气压力90-
106.6KPa及环境温度为-55℃~+70℃的条件下,电阻器__工作所允许耗散的最大功率 线绕电阻器额定功率系列为(W)1/
20、1/
8、1/
4、1/
2、
1、
2、
4、
8、
10、
16、
25、
40、
50、
75、
100、
150、
250、500 非线绕电阻器额定功率系列为(W)1/
20、1/
8、1/
4、1/
2、
1、
2、
5、
10、
25、
50、100
4、额定电压由阻值和额定功率换算出的电压
5、最高工作电压允许的最大连续工作电压在低气压工作时,最高工作电压较低
6、温度系数温度每变化1℃所引起的电阻值的相对变化温度系数越小,电阻的稳定性越好阻值随温度升高而增大的为正温度系数,反之为负温度系数
7、老化系数电阻器在额定功率__负荷下,阻值相对变化的百分数,它是表示电阻器寿命长短的参数
8、电压系数在规定的电压范围内,电压每变化1伏,电阻器的相对变化量
9、噪声产生于电阻器中的一种不规则的电压起伏,包括热噪声和电流噪声两部分,热噪声是由于导体内部不规则的电子自由运动,使导体任意两点的电压不规则变化
四、电阻器阻值标示方法
1、直标法用数字和单位符号在电阻器表面标出阻值,其允许误差直接用百分数表示,若电阻上未注偏差,则均为±20%
2、文字符号法用___数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值,其允许偏差也用文字符号表示符号前面的数字表示整数阻值,后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值 表示允许误差的文字符号 文字符号DFGJKM 允许偏差±
0.5%±1%±2%±5%±10%±20%
3、数码法在电阻器上用三位数码表示标称值的标志方法数码从左到右,第
一、二位为有效值,第三位为指数,即零的个数,单位为欧偏差通常采用文字符号表示
4、色标法用不同颜色的带或点在电阻器表面标出标称阻值和允许偏差国外电阻大部分采用色标法 黑-
0、棕-
1、红-
2、橙-
3、黄-
4、绿-
5、蓝-
6、紫-
7、灰-
8、白-
9、金-±5%、银-±10%、无色-±20% 当电阻为四环时,最后一环必为金色或银色,前两位为有效数字,第三位为乘方数,第四位为偏差当电阻为五环时,最後一环与前面四环距离较大前三位为有效数字,第四位为乘方数,第五位为偏差
五、常用电阻器
1、电位器 电位器是一种机电元件,他靠电刷在电阻体上的滑动,取得与电刷位移成一定关系的输出电压
1.1合成碳膜电位器 电阻体是用经过研磨的碳黑,石墨,石英等材料涂敷于基体表面而成,该工艺简单,是目前应用最广泛的电位器特点是分辩力高耐磨性好,寿命较长缺点是电流噪声,非线性大,耐潮性以及阻值稳定性差
1.2有机实心电位器 有机实心电位器是一种新型电位器,它是用加热塑压的方法,将有机电阻粉压在绝缘体的凹槽内有机实心电位器与碳膜电位器相比具有耐热性好、功率大、可靠性高、耐磨性好的优点但温度系数大、动噪声大、耐潮性能差、制造工艺复杂、阻值精度较差在小型化、高可靠、高耐磨性的电子设备以及交、直流电路中用作调节电压、电流
1.3金属玻璃铀电位器 用丝网印刷法按照一定图形,将金属玻璃铀电阻浆料涂覆在陶瓷基体上,经高温烧结而成特点是阻值范围宽,耐热性好,过载能力强,耐潮,耐磨等都很好,是很有前途的电位器品种,缺点是接触电阻和电流噪声大
1.4绕线电位器 绕线电位器是将康铜丝或镍铬合金丝作为电阻体,并把它绕在绝缘骨架上制成绕线电位器特点是接触电阻小,精度高,温度系数小,其缺点是分辨力差,阻值偏低,高频特性差主要用作分压器、变阻器、仪器中调零和工作点等
1.5金属膜电位器 金属膜电位器的电阻体可由合金膜、金属氧化膜、金属箔等分别组成特点是分辩力高、耐高温、温度系数小、动噪声小、平滑性好
1.6导电塑料电位器 用特殊工艺将DAP(邻苯二甲酸二稀丙脂)电阻浆料覆在绝缘机体上,加热聚合成电阻膜,或将DAP电阻粉热塑压在绝缘基体的凹槽内形成的实心体作为电阻体特点是平滑性好、分辩力优异耐磨性好、寿命长、动噪声小、可靠性极高、耐化学腐蚀用于宇宙装置、导弹、飞机雷达天线的伺服系统等
1.7带开关的电位器 有旋转式开关电位器、推拉式开关电位器、推推开关式电位器
1.8预调式电位器 预调式电位器在电路中,一旦调试好,用蜡封住调节位置,在一般情况下不再调节
1.9直滑式电位器 采用直滑方式改变电阻值
1.10双连电位器 有异轴双连电位器和同轴双连电位器
1.11无触点电位器 无触点电位器消除了机械接触,寿命长、可靠性高,分光电式电位器、磁敏式电位器等
2、实芯碳质电阻器 用碳质颗粒壮导电物质、填料和粘合剂混合制成一个实体的电阻器 特点__低廉,但其阻值误差、噪声电压都大,稳定性差,目前较少用
3、绕线电阻器 用高阻合金线绕在绝缘骨架上制成,外面涂有耐热的釉绝缘层或绝缘漆 绕线电阻具有较低的温度系数,阻值精度高,稳定性好,耐热耐腐蚀,主要做精密大功率电阻使用,缺点是高频性能差,时间常数大
4、薄膜电阻器 用蒸发的方法将一定电阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成主要如下
4.1碳膜电阻器 将结晶碳沉积在陶瓷棒骨架上制成碳膜电阻器成本低、性能稳定、阻值范围宽、温度系数和电压系数低,是目前应用最广泛的电阻器
4.2金属膜电阻器 用真空蒸发的方法将合金材料蒸镀于陶瓷棒骨架表面 金属膜电阻比碳膜电阻的精度高,稳定性好,噪声,温度系数小在仪器仪表及通讯设备中大量采用
4.3金属氧化膜电阻器 在绝缘棒上沉积一层金属氧化物由于其本身即是氧化物,所以高温下稳定,耐热冲击,负载能力强
4.4合成膜电阻 将导电合成物悬浮液涂敷在基体上而得,因此也叫漆膜电阻 由于其导电层呈现颗粒状结构,所以其噪声大,精度低,主要用他制造高压,高阻,小型电阻器
5、金属玻璃铀电阻器 将金属粉和玻璃铀粉混合,采用丝网印刷法印在基板上 耐潮湿,高温,温度系数小,主要应用于厚膜电路
6、贴片电阻__T 片状电阻是金属玻璃铀电阻的一种形式,他的电阻体是高可靠的钌系列玻璃铀材料经过高温烧结而成,电极采用银钯合金浆料 体积小,精度高,稳定性好,由于其为片状元件,所以高频性能好
7、敏感电阻 敏感电阻是指器件特性对温度,电压,湿度,光照,气体,磁场,压力等作用敏感的电阻器 敏感电阻的符号是在普通电阻的符号中加一斜线,并在旁标注敏感电阻的类型,如t.v等
7.
1、压敏电阻 主要有碳化硅和氧化锌压敏电阻,氧化锌具有更多的优良特性
7.
2、湿敏电阻 由感湿层,电极,绝缘体组成,湿敏电阻主要包括氯化锂湿敏电阻,碳湿敏电阻,氧化物湿敏电阻氯化锂湿敏电阻随湿度上升而电阻减小,缺点为测试范围小,特性重复性不好,受温度影响大碳湿敏电阻缺点为低温灵敏度低,阻值受温度影响大,由老化特性,较少使用 氧化物湿敏电阻性能较优越,可__使用,温度影响小,阻值与湿度变化呈线性关系有氧化锡,镍铁酸盐,等材料
7.
3、光敏电阻 光敏电阻是电导率随着光量力的变化而变化的电子元件,当某种物质受到光照时,载流子的浓度增加从而增加了电导率,这就是光电导效应
7.
4、气敏电阻 利用某些半导体吸收某种气体后发生氧化还原反应制成,主要成分是金属氧化物,主要品种有金属氧化物气敏电阻、复合氧化物气敏电阻、陶瓷气敏电阻等
7.
5、力敏电阻 力敏电阻是一种阻值随压力变化而变化的电阻,国外称为压电电阻器所谓压力电阻效应即半导体材料的电阻率随机械应力的变化而变化的效应可制成各种力矩计,半导体话筒,压力传感器等主要品种有硅力敏电阻器,硒碲合金力敏电阻器,相对而言,合金电阻器具有更高灵敏度电容器知识 电容是电子设备中大量使用的电子元件之一,广泛应用于隔直,耦合,旁路,滤波,调谐回路,能量转换,控制电路等方面 用C表示电容,电容单位有法拉(F)、微法拉(uF、皮法拉(pF1F=10^6uF=10^12pF
一、电容器的型号命名方法 国产电容器的型号一般由四部分组成(不适用于压敏、可变、真空电容器)依次分别代表名称、材料、分类和序号 第一部分名称,用字母表示,电容器用C 第二部分材料,用字母表示 第三部分分类,一般用数字表示,个别用字母表示 第四部分序号,用数字表示 用字母表示产品的材料A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介
二、电容器的分类
1、按照结构分三大类固定电容器、可变电容器和微调电容器
2、按电解质分类有有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介质电容器等
3、按用途分有高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器
4、频旁路陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、涤纶电容器、玻璃釉电容器
5、低频旁路纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器
6、滤波铝电解电容器、纸介电容器、复合纸介电容器、液体钽电容器
7、调谐陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、聚苯乙烯电容器
8、高频耦合陶瓷电容器、云母电容器、聚苯乙烯电容器
9、低耦合纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器、固体钽电容器
10、小型电容金属化纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、聚苯乙烯电容器、固体钽电容器、玻璃釉电容器、金属化涤纶电容器、聚丙烯电容器、云母电容器
三、常用电容器
1、铝电解电容器 用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成,薄的化氧化膜作介质的电容器.因为氧化膜有单向导电性质所以电解电容器具有极性.容量大,能耐受大的脉动电流容量误差大,泄漏电流大;普通的不适于在高频和低温下应用不宜使用在25kHz以上频率低频旁路、__耦合、电源滤波
2、钽电解电容器 用烧结的钽块作正极电解质使用固体二氧化锰温度特性、频率特性和可靠性均优于普通电解电容器,特别是漏电流极小,贮存性良好,寿命长,容量误差小,而且体积小,单位体积下能得到最大的电容电压乘积对脉动电流的耐受能力差,若损坏易呈短路状态超小型高可靠机件中
3、薄膜电容器 结构与纸质电容器相似,但用聚脂、聚苯乙烯等低损耗塑材作介质频率特性好,介电损耗小不能做成大的容量,耐热能力差滤波器、积分、振荡、定时电路
4、瓷介电容器 穿心式或支柱式结构瓷介电容器,它的一个电极就是__螺丝引线电感极小,频率特性好,介电损耗小,有温度补偿作用不能做成大的容量,受振动会引起容量变化特别适于高频旁路
5、独石电容器 多层陶瓷电容器在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料,叠合后一次绕结成一块不可分割的整体,外面再用树脂包封而成小体积、大容量、高可靠和耐高温的新型电容器,高介电常数的低频独石电容器也具有稳定的性能,体积极小,Q值高容量误差较大噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路
6、纸质电容器 一般是用两条铝箔作为电极,中间以厚度为
0.008~
0.012mm的电容器纸隔开重叠卷绕而成制造工艺简单,__便宜,能得到较大的电容量 一般在低频电路内,通常不能在高于3~4MHz的频率上运用油浸电容器的耐压比普通纸质电容器高,稳定性也好,适用于高压电路
7、微调电容器 电容量可在某一小范围内调整,并可在调整后固定于某个电容值瓷介微调电容器的Q值高,体积也小,通常可分为圆管式及圆片式两种云母和聚苯乙烯介质的通常都采用弹簧式东,结构简单,但稳定性较差线绕瓷介微调电容器是拆铜丝〈外电极〉来变动电容量的,故容量只能变小,不适合在需反复调试的场合使用
8、陶瓷电容器 用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成它又分高频瓷介和低频瓷介两种具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿高频瓷介电容器适用于高频电路
9、玻璃釉电容器 由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成,介质再以银层电极经烧结而成独石结构性能可与云母电容器媲美,能耐受各种气候环境,一般可在200℃或更高温度下工作,额定工作电压可达500V,损耗tgδ
0.0005~
0.008
四、电容器主要特性参数
1、标称电容量和允许偏差 标称电容量是标志在电容器上的电容量 电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差,在允许的偏差范围称精度 精度等级与允许误差对应关系00
(01)-±1%、0
(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%) 一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级,电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级,根据用途选取
2、额定电压 在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值,一般直接标注在电容器外壳上,如果工作电压超过电容器的耐压,电容器击穿,造成不可修复的永久损坏
3、绝缘电阻 直流电压加在电容上,并产生漏电电流,两者之比称为绝缘电阻 当电容较小时,主要取决于电容的表面状态,容量〉
0.1uf时,主要取决于介质的性能,绝缘电阻越大越好 电容的时间常数为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数,他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积
4、损耗 电容在电场作用下,在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值,电容的损耗主要由介质损耗,电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的 在直流电场的作用下,电容器的损耗以漏导损耗的形式存在,一般较小,在交变电场的作用下,电容的损耗不仅与漏导有关,而且与周期性的极化建立过程有关
5、频率特性 随着频率的上升,一般电容器的电容量呈现下降的规律
五、电容器容量标示
1、直标法 用数字和单位符号直接标出如01uF表示
0.01微法,有些电容用“R”表示小数点,如R56表示
0.56微法
2、文字符号法 用数字和文字符号有规律的组合来表示容量如p10表示
0.1pF1p0表示1pF6P8表示
6.8pF2u2表示
2.2uF.
3、色标法 用色环或色点表示电容器的主要参数电容器的色标法与电阻相同半导体型号命名方法
一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第
三、
四、五部分)组成五个部分意义如下 第一部分用数字表示半导体器件有效电极数目2-二极管、3-三极管 第二部分用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性表示二极管时A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料表示三极管时A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料 第三部分用汉语拼音字母表示半导体器件的内型P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-__管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管f3MHzPc1W、G-高频小功率管(f3MHzPc1W、D-低频大功率管(f3MHzPc1W、A-高频大功率管(f3MHzPc1W、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件 第四部分用数字表示序号 第五部分用汉语拼音字母表示规格号 例如3DG18表示NPN型硅材料高频三极管
二、__半导体分立器件型号命名方法 __生产的半导体分立器件,由五至七部分组成通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下 第一部分用数字表示器件有效电极数目或类型0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推 第二部分__电子工业协会JEIA注册标志S-表示已在__电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件 第三部分用字母表示器件使用材料极性和类型A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅 第四部分用数字表示在__电子工业协会JEIA登记的顺序号两位以上的整数-从“11”开始,表示在__电子工业协会JEIA登记的顺序号;不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号;数字越大,越是近期产品 第五部分用字母表示同一型号的改进型产品标志A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品
三、美国半导体分立器件型号命名方法 美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下 第一部分用符号表示器件用途的类型JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、(无)-非军用品 第二部分用数字表示pn结数目1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件 第三部分美国电子工业协会(EIA)注册标志N-该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记 第四部分美国电子工业协会登记顺序号多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号 第五部分用字母表示器件分档A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别如JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管,JAN-军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档
四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法这种命名方法由四个基本部分组成,各部分的符号及意义如下 第一部分用字母表示器件使用的材料A-器件使用材料的禁带宽度Eg=
0.6~
1.0eV如锗、B-器件使用材料的Eg=
1.0~
1.3eV如硅、C-器件使用材料的Eg
1.3eV如砷化镓、D-器件使用材料的Eg
0.6eV如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料 第二部分用字母表示器件的类型及主要特征A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-__二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管 第三部分用数字或字母加数字表示登记号三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号 第四部分用字母对同一类型号器件进行分档A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志 除四个基本部分外,有时还加后缀,以区别特性或进一步分类常见后缀如下
1、稳压二极管型号的后缀其后缀的第一部分是一个字母,表示稳定电压值的容许误差范围,字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%;其后缀第二部分是数字,表示标称稳定电压的整数数值;后缀的第三部分是字母V,代表小数点,字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值
2、整流二极管后缀是数字,表示器件的最大反向峰值耐压值,单位是伏特
3、晶闸管型号的后缀也是数字,通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值 如BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管,AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管
五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法 欧洲有些国家,如德国、荷兰采用如下命名方法 第一部分O-表示半导体器件 第二部分A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件 第三部分多位数字-表示器件的登记序号 第四部分A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品二极管参数符号及意义CT---势垒电容Cj---结(极间)电容,表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流(正向测试电流)锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(__)---正向平均电流IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流发光二极管极限电流IH---恒定电流、维持电流Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IF__---正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io---整流电流在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IFov---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(__)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流IRM---反向峰值电流IRR---晶闸管反向重复平均电流IDR---晶闸管断态平均重复电流IRRM---反向重复峰值电流IR__---反向不重复峰值电流(反向浪涌电流)Irp---反向恢复电流Iz---稳定电压电流(反向测试电流)测试反向电参数时,给定的反向电流Izk---稳压管膝点电流IOM---最大正向(整流)电流在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZ__---稳压二极管浪涌电流IZM---最大稳压电流在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF---正向总瞬时电流iR---反向总瞬时电流ir---反向恢复电流Iop---工作电流Is---稳流二极管稳定电流f---频率n---电容变化指数;电容比Q---优值(品质因素)δvz---稳压管电压漂移di/dt---通态电流临界上升率dv/dt---通态电压临界上升率PB---承受脉冲烧毁功率PFT(__)---正向导通平均耗散功率PFTM---正向峰值耗散功率PFT---正向导通总瞬时耗散功率Pd---耗散功率PG---门极平均功率PGM---门极峰值功率PC---控制极平均功率或集电极耗散功率Pi---输入功率PK---最大开关功率PM---额定功率硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率PMP---最大漏过脉冲功率PMS---最大承受脉冲功率Po---输出功率PR---反向浪涌功率Ptot---总耗散功率Po__x---最大输出功率Psc---连续输出功率P__---不重复浪涌功率PZM---最大耗散功率在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率RF(r)---正向微分电阻在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性在某一正向电压下,电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I称微分电阻RBB---双基极晶体管的基极间电阻RE---射频电阻RL---负载电阻Rsrs----串联电阻Rth----热阻Rthja----结到环境的热阻Rzru---动态电阻Rthjc---结到壳的热阻rδ---衰减电阻rth---瞬态电阻Ta---环境温度Tc---壳温td---延迟时间tf---下降时间tfr---正向恢复时间tg---电路换向关断时间tgt---门极控制极开通时间Tj---结温Tjm---最高结温ton---开通时间toff---关断时间tr---上升时间trr---反向恢复时间ts---存储时间tstg---温度补偿二极管的贮成温度a---温度系数λp---发光峰值波长△λ---光谱半宽度η---单结晶体管分压比或效率VB---反向峰值击穿电压Vc---整流输入电压VB2B1---基极间电压VBE10---发射极与第一基极反向电压VEB---饱和压降VFM---最大正向压降(正向峰值电压)VF---正向压降(正向直流电压)△VF---正向压降差VDRM---断态重复峰值电压VGT---门极触发电压VGD---门极不触发电压VGFM---门极正向峰值电压VGRM---门极反向峰值电压VF(__)---正向平均电压Vo---交流输入电压VOM---最大输出平均电压Vop---工作电压Vn---中心电压Vp---峰点电压VR---反向工作电压(反向直流电压)VRM---反向峰值电压(最高测试电压)V(BR)---击穿电压Vth---阀电压(门限电压)VRRM---反向重复峰值电压(反向浪涌电压)VRWM---反向工作峰值电压Vv---谷点电压Vz---稳定电压△Vz---稳压范围电压增量Vs---通向电压(__电压)或稳流管稳定电流电压__---电压温度系数Vk---膝点电压(稳流二极管)VL---极限电压CT---势垒电容Cj---结(极间)电容,表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流(正向测试电流)锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(__)---正向平均电流IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流发光二极管极限电流IH---恒定电流、维持电流Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IF__---正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io---整流电流在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IFov---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(__)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流IRM---反向峰值电流IRR---晶闸管反向重复平均电流IDR---晶闸管断态平均重复电流IRRM---反向重复峰值电流IR__---反向不重复峰值电流(反向浪涌电流)Irp---反向恢复电流Iz---稳定电压电流(反向测试电流)测试反向电参数时,给定的反向电流Izk---稳压管膝点电流IOM---最大正向(整流)电流在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZ__---稳压二极管浪涌电流IZM---最大稳压电流在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF---正向总瞬时电流iR---反向总瞬时电流ir---反向恢复电流Iop---工作电流Is---稳流二极管稳定电流f---频率n---电容变化指数;电容比Q---优值(品质因素)δvz---稳压管电压漂移di/dt---通态电流临界上升率dv/dt---通态电压临界上升率PB---承受脉冲烧毁功率PFT(__)---正向导通平均耗散功率PFTM---正向峰值耗散功率PFT---正向导通总瞬时耗散功率Pd---耗散功率PG---门极平均功率PGM---门极峰值功率PC---控制极平均功率或集电极耗散功率Pi---输入功率PK---最大开关功率PM---额定功率硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率PMP---最大漏过脉冲功率PMS---最大承受脉冲功率Po---输出功率PR---反向浪涌功率Ptot---总耗散功率Po__x---最大输出功率Psc---连续输出功率P__---不重复浪涌功率PZM---最大耗散功率在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率RF(r)---正向微分电阻在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性在某一正向电压下,电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I称微分电阻RBB---双基极晶体管的基极间电阻RE---射频电阻RL---负载电阻Rsrs----串联电阻Rth----热阻Rthja----结到环境的热阻Rzru---动态电阻Rthjc---结到壳的热阻rδ---衰减电阻rth---瞬态电阻Ta---环境温度Tc---壳温td---延迟时间tf---下降时间tfr---正向恢复时间tg---电路换向关断时间tgt---门极控制极开通时间Tj---结温Tjm---最高结温ton---开通时间toff---关断时间tr---上升时间trr---反向恢复时间ts---存储时间tstg---温度补偿二极管的贮成温度a---温度系数λp---发光峰值波长△λ---光谱半宽度η---单结晶体管分压比或效率VB---反向峰值击穿电压Vc---整流输入电压VB2B1---基极间电压VBE10---发射极与第一基极反向电压VEB---饱和压降VFM---最大正向压降(正向峰值电压)VF---正向压降(正向直流电压)△VF---正向压降差VDRM---断态重复峰值电压VGT---门极触发电压VGD---门极不触发电压VGFM---门极正向峰值电压VGRM---门极反向峰值电压VF(__)---正向平均电压Vo---交流输入电压VOM---最大输出平均电压Vop---工作电压Vn---中心电压Vp---峰点电压VR---反向工作电压(反向直流电压)VRM---反向峰值电压(最高测试电压)V(BR)---击穿电压Vth---阀电压(门限电压)VRRM---反向重复峰值电压(反向浪涌电压)VRWM---反向工作峰值电压Vv---谷点电压Vz---稳定电压△Vz---稳压范围电压增量Vs---通向电压(__电压)或稳流管稳定电流电压__---电压温度系数Vk---膝点电压(稳流二极管)VL---极限电压场效应管参数符号及意义Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数,外电路参数)di/dt---电流上升率(外电路参数)dv/dt---电压上升率(外电路参数)ID---漏极电流(直流)IDM---漏极脉冲电流IDon---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流(射频功率管)IDS---漏源电流ID__---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时,漏极电流IDSsat---沟道饱和电流(漏源饱和电流)IG---栅极电流(直流)IGF---正向栅电流IGR---反向栅电流IGDO---源极开路时,截止栅电流IGSO---漏极开路时,截止栅电流IGM---栅极脉冲电流IGP---栅极峰值电流IF---二极管正向电流IGSS---漏极短路时截止栅电流IDSS1---对管第一管漏源饱和电流IDSS2---对管第二管漏源饱和电流Iu---衬底电流Ipr---电流脉冲峰值(外电路参数)gfs---正向跨导Gp---功率增益Gps---共源极中和高频功率增益GpG---共栅极中和高频功率增益GPD---共漏极中和高频功率增益ggd---栅漏电导gds---漏源电导K---失调电压温度系数Ku---传输系数L---负载电感(外电路参数)LD---漏极电感Ls---源极电感rDS---漏源电阻rDSon---漏源通态电阻rDSof---漏源断态电阻rGD---栅漏电阻rGS---栅源电阻Rg---栅极外接电阻(外电路参数)RL---负载电阻(外电路参数)Rthjc---结壳热阻Rthja---结环热阻PD---漏极耗散功率PDM---漏极最大允许耗散功率PIN--输入功率POUT---输出功率PPK---脉冲功率峰值(外电路参数)toon---开通延迟时间tdoff---关断延迟时间ti---上升时间ton---开通时间toff---关断时间tf---下降时间trr---反向恢复时间Tj---结温Tjm---最大允许结温Ta---环境温度Tc---管壳温度Tstg---贮成温度VDS---漏源电压(直流)VGS---栅源电压(直流)VGSF--正向栅源电压(直流)VGSR---反向栅源电压(直流)VDD---漏极(直流)电源电压(外电路参数)VGG---栅极(直流)电源电压(外电路参数)Vss---源极(直流)电源电压(外电路参数)VGSth---开启电压或阀电压V(BR)DSS---漏源击穿电压V(BR)GSS---漏源短路时栅源击穿电压VDSon---漏源通态电压VDSsat---漏源饱和电压VGD---栅漏电压(直流)Vsu---源衬底电压(直流)VDu---漏衬底电压(直流)VGu---栅衬底电压(直流)Zo---驱动源内阻η---漏极效率(射频功率管)Vn---噪声电压aID---漏极电流温度系数ards---漏源电阻温度系数双极型晶体管参数符号及意义Cc---集电极电容Ccb---集电极与基极间电容C__---发射极接地输出电容Ci---输入电容Cib---共基极输入电容Cie---共发射极输入电容Cies---共发射极短路输入电容Cieo---共发射极开路输入电容Cn---中和电容(外电路参数)Co---输出电容Cob---共基极输出电容在基极电路中,集电极与基极间输出电容Coe---共发射极输出电容Coeo---共发射极开路输出电容Cre---共发射极反馈电容Cic---集电结势垒电容CL---负载电容(外电路参数)Cp---并联电容(外电路参数)BVcbo---发射极开路,集电极与基极间击穿电压BV__o---基极开路,__结击穿电压BVebo---集电极开路EB结击穿电压BV__s---基极与发射极短路__结击穿电压BV__r---基极与发射极串接一电阻,__结击穿电压D---占空比fT---特征频率f__x---最高振荡频率当三极管功率增益等于1时的工作频率hFE---共发射极静态电流放大系数hIE---共发射极静态输入阻抗hOE---共发射极静态输出电导hRE---共发射极静态电压反馈系数hie---共发射极小__短路输入阻抗hre---共发射极小__开路电压反馈系数hfe---共发射极小__短路电压放大系数hoe---共发射极小__开路输出导纳IB---基极直流电流或交流电流的平均值Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值IE---发射极直流电流或交流电流的平均值Icbo---基极接地,发射极对地开路,在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流I__o---发射极接地,基极对地开路,在规定的反向电压V__条件下,集电极与发射极之间的反向截止电流Iebo---基极接地,集电极对地开路,在规定的反向电压VEB条件下,发射极与基极之间的反向截止电流I__r---基极与发射极间串联电阻R,集电极与发射极间的电压V__为规定值时,集电极与发射极之间的反向截止电流I__s---发射极接地,基极对地短路,在规定的反向电压V__条件下,集电极与发射极之间的反向截止电流I__x---发射极接地,基极与发射极间加指定偏压,在规定的反向偏压V__下,集电极与发射极之间的反向截止电流ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值IBM---在集电极允许耗散功率的范围内,能连续地通过基极的直流电流的最大值,或交流电流的最大平均值ICMP---集电极最大允许脉冲电流I__---二次击穿电流IA__---正向自动控制电流Pc---集电极耗散功率PCM---集电极最大允许耗散功率Pi---输入功率Po---输出功率Posc---振荡功率Pn---噪声功率Ptot---总耗散功率E__---二次击穿能量rbb---基区扩展电阻(基区本征电阻)rbbCc---基极-集电极时间常数,即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积rie---发射极接地,交流输出短路时的输入电阻roe---发射极接地,在规定V__、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻RE---外接发射极电阻(外电路参数)RB---外接基极电阻(外电路参数)Rc---外接集电极电阻(外电路参数)RBE---外接基极-发射极间电阻(外电路参数)RL---负载电阻(外电路参数)RG---__源内阻Rth---热阻Ta---环境温度Tc---管壳温度Ts---结温Tjm---最大允许结温Tstg---贮存温度td----延迟时间tr---上升时间ts---存贮时间tf---下降时间ton---开通时间toff---关断时间VCB---集电极-基极(直流)电压V__---集电极-发射极(直流)电压VBE---基极发射极(直流)电压VCBO---基极接地,发射极对地开路,集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压VEBO---基极接地,集电极对地开路,发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压V__O---发射极接地,基极对地开路,集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压V__R---发射极接地,基极与发射极间串接电阻R,集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压V__S---发射极接地,基极对地短路,集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压V__X---发射极接地,基极与发射极之间加规定的偏压,集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压Vp---穿通电压V__---二次击穿电压VBB---基极(直流)电源电压(外电路参数)Vcc---集电极(直流)电源电压(外电路参数)VEE---发射极(直流)电源电压(外电路参数)V__sat---发射极接地,规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降VBEsat---发射极接地,规定Ic、IB条件下,基极-发射极饱和压降(前向压降)VA__---正向自动增益控制电压Vnp-p---输入端等效噪声电压峰值Vn---噪声电压Cj---结(极间)电容,表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流(正向测试电流)锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(__)---正向平均电流IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流发光二极管极限电流IH---恒定电流、维持电流Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IF__---正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io---整流电流在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IFov---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(__)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流IRM---反向峰值电流IRR---晶闸管反向重复平均电流IDR---晶闸管断态平均重复电流IRRM---反向重复峰值电流IR__---反向不重复峰值电流(反向浪涌电流)Irp---反向恢复电流Iz---稳定电压电流(反向测试电流)测试反向电参数时,给定的反向电流Izk---稳压管膝点电流IOM---最大正向(整流)电流在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZ__---稳压二极管浪涌电流IZM---最大稳压电流在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF---正向总瞬时电流iR---反向总瞬时电流ir---反向恢复电流Iop---工作电流Is---稳流二极管稳定电流f---频率n---电容变化指数;电容比Q---优值(品质因素)δvz---稳压管电压漂移di/dt---通态电流临界上升率dv/dt---通态电压临界上升率PB---承受脉冲烧毁功率PFT(__)---正向导通平均耗散功率PFTM---正向峰值耗散功率PFT---正向导通总瞬时耗散功率Pd---耗散功率PG---门极平均功率PGM---门极峰值功率PC---控制极平均功率或集电极耗散功率Pi---输入功率PK---最大开关功率PM---额定功率硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率PMP---最大漏过脉冲功率PMS---最大承受脉冲功率Po---输出功率PR---反向浪涌功率Ptot---总耗散功率Po__x---最大输出功率Psc---连续输出功率P__---不重复浪涌功率PZM---最大耗散功率在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率RF(r)---正向微分电阻在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性在某一正向电压下,电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I称微分电阻RBB---双基极晶体管的基极间电阻RE---射频电阻RL---负载电阻Rsrs----串联电阻Rth----热阻Rthja----结到环境的热阻Rzru---动态电阻Rthjc---结到壳的热阻rδ---衰减电阻rth---瞬态电阻Ta---环境温度Tc---壳温td---延迟时间tf---下降时间tfr---正向恢复时间tg---电路换向关断时间tgt---门极控制极开通时间Tj---结温Tjm---最高结温ton---开通时间toff---关断时间tr---上升时间trr---反向恢复时间ts---存储时间tstg---温度补偿二极管的贮成温度a---温度系数λp---发光峰值波长△λ---光谱半宽度η---单结晶体管分压比或效率VB---反向峰值击穿电压Vc---整流输入电压VB2B1---基极间电压VBE10---发射极与第一基极反向电压VEB---饱和压降VFM---最大正向压降(正向峰值电压)VF---正向压降(正向直流电压)△VF---正向压降差VDRM---断态重复峰值电压VGT---门极触发电压VGD---门极不触发电压VGFM---门极正向峰值电压VGRM---门极反向峰值电压VF(__)---正向平均电压Vo---交流输入电压VOM---最大输出平均电压Vop---工作电压Vn---中心电压Vp---峰点电压VR---反向工作电压(反向直流电压)VRM---反向峰值电压(最高测试电压)V(BR)---击穿电压Vth---阀电压(门限电压)VRRM---反向重复峰值电压(反向浪涌电压)VRWM---反向工作峰值电压Vv---谷点电压Vz---稳定电压△Vz---稳压范围电压增量Vs---通向电压(__电压)或稳流管稳定电流电压__---电压温度系数Vk---膝点电压(稳流二极管)VL---极限电压电感知识 电感线圈是由导线一圈靠一圈地绕在绝缘管上,导线彼此互相绝缘,而绝缘管可以是空心的,也可以包含铁芯或磁粉芯,简称电感用L表示,单位有亨利H、毫亨利mH、微亨利uH,1H=10^3mH=10^6uH
一、电感的分类 按电感形式分类固定电感、可变电感 按导磁体性质分类空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈 按工作性质分类天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈 按绕线结构分类单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈
二、电感线圈的主要特性参数
1、电感量L电感量L表示线圈本身固有特性,与电流大小无关除专门的电感线圈(色码电感)外,电感量一般不专门标注在线圈上,而以特定的名称标注
2、感抗XL电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL,单位是欧姆它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2πfL
3、品质因素Q品质因素Q是表示线圈质量的一个物理量,Q为感抗XL与其等效的电阻的比值,即Q=XL/R线圈的Q值愈高,回路的损耗愈小线圈的Q值与导线的直流电阻,骨架的介质损耗,屏蔽罩或铁芯引起的损耗,高频趋肤效应的影响等因素有关线圈的Q值通常为几十到几百
4、分布电容线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容分布电容的存在使线圈的Q值减小,稳定性变差,因而线圈的分布电容越小越好
三、常用线圈
1、单层线圈 单层线圈是用绝缘导线一圈挨一圈地绕在纸筒或胶木骨架上如晶体管收音机中波天线线圈
2、蜂房式线圈 如果所绕制的线圈,其平面不与旋转面平行,而是相交成一定的角度,这种线圈称为蜂房式线圈而其旋转一周,导线来回弯折的次数,常称为折点数蜂房式绕法的优点是体积小,分布电容小,而且电感量大蜂房式线圈都是利用蜂房绕线机来绕制,折点越多,分布电容越小
3、铁氧体磁芯和铁粉芯线圈 线圈的电感量大小与有无磁芯有关在空芯线圈中插入铁氧体磁芯,可增加电感量和提高线圈的品质因素
4、铜芯线圈 铜芯线圈在超短波范围应用较多,利用旋动铜芯在线圈中的位置来改变电感量,这种调整比较方便、耐用
5、色码电感器 色码电感器是具有固定电感量的电感器,其电感量标志方法同电阻一样以色环来标记
6、阻流圈(扼流圈) 限制交流电通过的线圈称阻流圈,分高频阻流圈和低频阻流圈
7、偏转线圈 偏转线圈是电视机扫描电路输出级的负载,偏转线圈要求偏转灵敏度高、磁场均匀、Q值高、体积小、__低变压器知识 变压器是变换交流电压、电流和阻抗的器件,当初级线圈中通有交流电流时,铁芯(或磁芯)中便产生交流磁通,使次级线圈中感应出电压(或电流)变压器由铁芯(或磁芯)和线圈组成,线圈有两个或两个以上的绕组,其中接电源的绕组叫初级线圈,其余的绕组叫次级线圈
一、分类 按冷却方式分类干式(自冷)变压器、油浸(自冷)变压器、氟化物(蒸发冷却)变压器 按防潮方式分类开放式变压器、灌封式变压器、密封式变压器 按铁芯或线圈结构分类芯式变压器(插片铁芯、C型铁芯、铁氧体铁芯)、壳式变压器(插片铁芯、C型铁芯、铁氧体铁芯)、环型变压器、金属箔变压器 按电源相数分类单相变压器、三相变压器、多相变压器 按用途分类电源变压器、调压变压器、音频变压器、中频变压器、高频变压器、脉冲变压器
二、电源变压器的特性参数
1、工作频率 变压器铁芯损耗与频率关系很大,故应根据使用频率来设计和使用,这种频率称工作频率
2、额定功率 在规定的频率和电压下,变压器能__工作,而不超过规定温升的输出功率
3、额定电压 指在变压器的线圈上所允许施加的电压,工作时不得大于规定值
4、电压比 指变压器初级电压和次级电压的比值,有空载电压比和负载电压比的区别
5、空载电流 变压器次级开路时,初级仍有一定的电流,这部分电流称为空载电流空载电流由磁化电流(产生磁通)和铁损电流(由铁芯损耗引起)组成对于50Hz电源变压器而言,空载电流基本上等于磁化电流
6、空载损耗 指变压器次级开路时,在初级测得功率损耗主要损耗是铁芯损耗,其次是空载电流在初级线圈铜阻上产生的损耗(铜损),这部分损耗很小
7、效率 指次级功率P2与初级功率P1比值的百分比通常变压器的额定功率愈大,效率就愈高
8、绝缘电阻 表示变压器各线圈之间、各线圈与铁芯之间的绝缘性能绝缘电阻的高低与所使用的绝缘材料的性能、温度高低和潮湿程度有关
三、音频变压器和高频变压器特性参数
1、频率响应 指变压器次级输出电压随工作频率变化的特性
2、通频带 如果变压器在中间频率的输出电压为U0,当输出电压(输入电压保持不变)下降到
0.707U0时的频率范围,称为变压器的通频带B
3、初、次级阻抗比 变压器初、次级接入适当的阻抗Ro和Ri使变压器初、次级阻抗匹配,则Ro和Ri的比值称为初、次级阻抗比在阻抗匹配的情况下,变压器工作在最佳状态,传输效率最高电子元器件检测方法[打印j__ascript:doPrint;][返回http://___.edadesign.com.cn/learner/electronics/elechomea.asp]元器件的检测是家电维修的一项基本功,如何准确有效地检测元器件的相关参数,判断元器件的是否正常,不是一件千篇一律的事,必须根据不同的元器件采用不同的方法,从而判断元器件的正常与否特别对初学者来说,熟练掌握常用元器件的检测方法和经验很有必要,以下对常用电子元器件的检测经验和方法进行介绍供对考
一、电阻器的检测方法与经验1固定电阻器的检测A将两表笔不分正负分别与电阻的两端引脚相接即可测出实际电阻值为了提高测量精度,应根据被测电阻标称值的大小来选择量程由于欧姆挡刻度的非线性关系,它的中间一段分度较为精细,因此应使指针指示值尽可能落到刻度的中段位置,即全刻度起始的20%~80%弧度范围内,以使测量更准确根据电阻误差等级不同读数与标称阻值之间分别允许有±5%、±10%或±20%的误差如不相符,超出误差范围,则说明该电阻值变值了B注意测试时,特别是在测几十kΩ以上阻值的电阻时,手不要触及表笔和电阻的导电部分;被检测的电阻从电路中焊下来,至少要焊开一个头,以免电路中的其他元件对测试产生影响,造成测量误差;色环电阻的阻值虽然能以色环标志来确定,但在使用时最好还是用万用表测试一下其实际阻值2水泥电阻的检测检测水泥电阻的方法及注意事项与检测普通固定电阻完全相同3熔断电阻器的检测在电路中,当熔断电阻器熔断开路后,可根据经验作出判断若发现熔断电阻器表面发黑或烧焦,可断定是其负荷过重,通过它的电流超过额定值很多倍所致;如果其表面无任何痕迹而开路,则表明流过的电流刚好等于或稍大于其额定熔断值对于表面无任何痕迹的熔断电阻器好坏的判断,可借助万用表R×1挡来测量,为保证测量准确,应将熔断电阻器一端从电路上焊下若测得的阻值为无穷大,则说明此熔断电阻器已失效开路,若测得的阻值与标称值相差甚远,表明电阻变值,也不宜再使用在维修实践中发现,也有少数熔断电阻器在电路中被击穿短路的现象,检测时也应予以注意4电位器的检测检查电位器时,首先要转动旋柄,看看旋柄转动是否平滑,开关是否灵活,开关通、断时“喀哒”声是否清脆,并听一听电位器内部接触点和电阻体摩擦的声音,如有“沙沙”声,说明质量不好用万用表测试时,先根据被测电位器阻值的大小,选择好万用表的合适电阻挡位,然后可按下述方法进行检测A用万用表的欧姆挡测“1”、“2”两端,其读数应为电位器的标称阻值,如万用表的指针不动或阻值相差很多,则表明该电位器已损坏B检测电位器的活动臂与电阻片的接触是否良好用万用表的欧姆档测“1”、“2”或“2”、“3”两端,将电位器的转轴按逆时针方向旋至接近“关”的位置,这时电阻值越小越好再顺时针慢慢旋转轴柄,电阻值应逐渐增大,表头中的指针应平稳__当轴柄旋至极端位置“3”时,阻值应接近电位器的标称值如万用表的指针在电位器的轴柄转动过程中有跳动现象,说明活动触点有接触不良的故障5正温度系数热敏电阻PTC的检测检测时,用万用表R×1挡,具体可分两步操作A常温检测室内温度接近25℃;将两表笔接触PTC热敏电阻的两引脚测出其实际阻值,并与标称阻值相对比,二者相差在±2Ω内即为正常实际阻值若与标称阻值相差过大,则说明其性能不良或已损坏B加温检测;在常温测试正常的基础上,即可进行第二步测试—加温检测,将一热源例如电烙铁*近PTC热敏电阻对其加热,同时用万用表监测其电阻值是否随温度的升高而增大,如是,说明热敏电阻正常,若阻值无变化,说明其性能变劣,不能继续使用注意不要使热源与PTC热敏电阻*得过近或直接接触热敏电阻,以防止将其烫坏6负温度系数热敏电阻NTC的检测
1、测量标称电阻值Rt用万用表测量NTC热敏电阻的方法与测量普通固定电阻的方法相同,即根据NTC热敏电阻的标称阻值选择合适的电阻挡可直接测出Rt的实际值但因NTC热敏电阻对温度很敏感,故测试时应注意以下几点ARt是生产厂家在环境温度为25℃时所测得的,所以用万用表测量Rt时,亦应在环境温度接近25℃时进行,以保证测试的可信度B测量功率不得超过规定值,以免电流热效应引起测量误差C注意正确操作测试时,不要用手捏住热敏电阻体,以防止人体温度对测试产生影响
2、估测温度系数αt先在室温t1下测得电阻值Rt1,再用电烙铁作热源,*近热敏电阻Rt,测出电阻值RT2,同时用温度计测出此时热敏电阻RT表面的平均温度t2再进行计算7压敏电阻的检测用万用表的R×1k挡测量压敏电阻两引脚之间的正、反向绝缘电阻,均为无穷大,否则,说明漏电流大若所测电阻很小,说明压敏电阻已损坏,不能使用8光敏电阻的检测A用一黑纸片将光敏电阻的透光窗口遮住,此时万用表的指针基本保持不动,阻值接近无穷大此值越大说明光敏电阻性能越好若此值很小或接近为零,说明光敏电阻已烧穿损坏,不能再继续使用B将一光源对准光敏电阻的透光窗口,此时万用表的指针应有较大幅度的摆动,阻值明显减些此值越小说明光敏电阻性能越好若此值很大甚至无穷大,表明光敏电阻内部开路损坏,也不能再继续使用C将光敏电阻透光窗口对准入射庀撸眯『谥狡诠饷舻缱璧恼诠獯吧喜炕味蛊浼涠鲜芄猓耸蓖蛴帽碇刚胗λ婧谥狡幕味笥野诙H绻蛴帽碇刚胧贾胀T谀骋晃恢貌凰嬷狡味诙得鞴饷舻缱璧墓饷舨牧弦丫鸹怠)/P
二、电容器的检测方法与经验1固定电容器的检测A检测10pF以下的小电容因10pF以下的固定电容器容量太小,用万用表进行测量,只能定性的检查其是否有漏电,内部短路或击穿现象测量时,可选用万用表R×10k挡,用两表笔分别任意接电容的两个引脚,阻值应为无穷大若测出阻值指针向右摆动为零,则说明电容漏电损坏或内部击穿B检测10PF~001μF固定电容器是否有充电现象,进而判断其好坏万用表选用R×1k挡两只三极管的β值均为100以上,且穿透电流要些可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接由于复合三极管的放大作用,把被测电容的充放电过程予以放大,使万用表指针摆幅度加大,从而便于观察应注意的是在测试操作时,特别是在测较小容量的电容时,要反复调换被测电容引脚接触A、B两点,才能明显地看到万用表指针的摆动C对于001μF以上的固定电容,可用万用表的R×10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电,并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量2电解电容器的检测A因为电解电容的容量较一般固定电容大得多,所以,测量时,应针对不同容量选用合适的量程根据经验,一般情况下,1~47μF间的电容,可用R×1k挡测量,大于47μF的电容可用R×100挡测量B将万用表红表笔接负极,黑表笔接正极,在刚接触的瞬间,万用表指针即向右偏转较大偏度对于同一电阻挡,容量越大,摆幅越大,接着逐渐向左回转,直到停在某一位置此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻,此值略大于反向漏电阻实际使用经验表明,电解电容的漏电阻一般应在几百kΩ以上,否则,将不能正常工作在测试中,若正向、反向均无充电的现象,即表针不动,则说明容量消失或内部断路;如果所测阻值很小或为零,说明电容漏电大或已击穿损坏,不能再使用C对于正、负极标志不明的电解电容器,可利用上述测量漏电阻的方法加以判别即先任意测一下漏电阻,记住其大小,然后交换表笔再测出一个阻值两次测量中阻值大的那一次便是正向接法,即黑表笔接的是正极,红表笔接的是负极D使用万用表电阻挡,采用给电解电容进行正、反向充电的方法,根据指针向右摆动幅度的大小,可估测出电解电容的容量3可变电容器的检测A用手轻轻旋动转轴,应感觉十分平滑,不应感觉有时松时紧甚至有卡滞现象将载轴向前、后、上、下、左、右等各个方向推动时,转轴不应有松动的现象B用一只手旋动转轴,另一只手轻摸动片组的外缘,不应感觉有任何松脱现象转轴与动片之间接触不良的可变电容器,是不能再继续使用的C将万用表置于R×10k挡,一只手将两个表笔分别接可变电容器的动片和定片的引出端,另一只手将转轴缓缓旋动几个来回,万用表指针都应在无穷大位置不动在旋动转轴的过程中,如果指针有时指向零,说明动片和定片之间存在短路点;如果碰到某一角度,万用表读数不为无穷大而是出现一定阻值,说明可变电容器动片与定片之间存在漏电现象
三、电感器、变压器检测方法与经验1色码电感器的的检测将万用表置于R×1挡,红、黑表笔各接色码电感器的任一引出端,此时指针应向右摆动根据测出的电阻值大小,可具体分下述三种情况进行鉴别A被测色码电感器电阻值为零,其内部有短路性故障B被测色码电感器直流电阻值的大小与绕制电感器线圈所用的漆包线径、绕制圈数有直接关系,只要能测出电阻值,则可认为被测色码电感器是正常的2中周变压器的检测A将万用表拨至R×1挡,按照中周变压器的各绕组引脚排列规律,逐一检查各绕组的通断情况,进而判断其是否正常B检测绝缘性能将万用表置于R×10k挡,做如下几种状态测试1初级绕组与次级绕组之间的电阻值;2初级绕组与外壳之间的电阻值;3次级绕组与外壳之间的电阻值上述测试结果分出现三种情况1阻值为无穷大正常;2阻值为零有短路性故障;3阻值小于无穷大,但大于零有漏电性故障3电源变压器的检测A通过观察变压器的外貌来检查其是否有明显异常现象如线圈引线是否断裂,脱焊,绝缘材料是否有烧焦痕迹,铁心紧固螺杆是否有松动,硅钢片有无锈蚀,绕组线圈是否有外露等B绝缘性测试用万用表R×10k挡分别测量铁心与初级,初级与各次级、铁心与各次级、静电屏蔽层与衩次级、次级各绕组间的电阻值,万用表指针均应指在无穷大位置不动否则,说明变压器绝缘性能不良C线圈通断的检测将万用表置于R×1挡,测试中,若某个绕组的电阻值为无穷大,则说明此绕组有断路性故障D判别初、次级线圈电源变压器初级引脚和次级引脚一般都是分别从两侧引出的,并且初级绕组多标有220V字样,次级绕组则标出额定电压值,如15V、24V、35V等再根据这些标记进行识别E空载电流的检测a直接测量法将次级所有绕组全部开路,把万用表置于交流电流挡500__,串入初级绕组当初级绕组的插头插入220V交流市电时,万用表所指示的便是空载电流值此值不应大于变压器满载电流的10%~20%一般常见电子设备电源变压器的正常空载电流应在100__左右如果超出太多,则说明变压器有短路性故障b间接测量法在变压器的初级绕组中串联一个10/5W的电阻,次级仍全部空载把万用表拨至交流电压挡加电后,用两表笔测出电阻R两端的电压降U,然后用欧姆定律算出空载电流I空,即I空=U/RF空载电压的检测将电源变压器的初级接220V市电,用万用表交流电压接依次测出各绕组的空载电压值U
21、U
22、U
23、U24应符合要求值,允许误差范围一般为高压绕组≤±10%,低压绕组≤±5%,带中心抽头的两组对称绕组的电压差应≤±2%G一般小功率电源变压器允许温升为40℃~50℃,如果所用绝缘材料质量较好,允许温升还可提高H检测判别各绕组的同名端在使用电源变压器时,有时为了得到所需的次级电压,可将两个或多个次级绕组串联起来使用采用串联法使用电源变压器时,参加串联的各绕组的同名端必须正确连接,不能搞错否则,变压器不能正常工作I.电源变压器短路性故障的综合检测判别电源变压器发生短路性故障后的主要症状是发热严重和次级绕组输出电压失常通常,线圈内部匝间短路点越多,短路电流就越大,而变压器发热就越严重检测判断电源变压器是否有短路性故障的简单方法是测量空载电流测试方法前面已经介绍存在短路故障的变压器,其空载电流值将远大于满载电流的10%当短路严重时,变压器在空载加电后几十秒钟之内便会迅速发热,用手触摸铁心会有烫手的感觉此时不用测量空载电流便可断定变压器有短路点存在。