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第1章半导体物理基础半导体掺杂空穴导电占优势的半导体称为P型半导体;产生空穴的杂质叫受主杂质因为空穴的产生实际是半导体的本体原子将一个束缚价电子转移给这种杂质的结果。电子导电占优势的半导体称为N型半导体在半导体中产生导电电子的杂质叫施主杂质。非本征半导体中虽然包含两种载流子但其密度往往相差很大密度高者叫多数载流子密度低者叫少数载流子。杂质补偿半导体中施主杂质和受主杂质的同时存在不能像本征激发那样同时产生导电电子和空穴只能相互抵消。人们把这种效应称为杂质补偿。杂质补偿使得大多数常用半导体可以在N、P两种导电类型之间转化。半导体导电的热敏性载流子密度是器件特性的决定性因素。从器件工作特性的稳定性考虑保持载流子密度的稳定是最基本的要求。非本征材料在一定的温度范围内主要靠杂质原子提供载流子而一个杂质原子最多只能提供一个电子或空穴。当每个杂质原子都已“尽责”之后载流子密度即保持不变器件即可望保持相应的稳定工作状态。因此实际半体器件大多采用掺杂材料。非本征材料有本征激发和杂质电离两种载流子来源其载流子的总密度为二者之和。当本征激发的如状较小时靠杂质的完全电离保持载流子的恒定密度。当本征载流子密度随着温度的升高而接近或超过掺杂浓度时非本征半导体即开始向本征半导体转变。第2章PN结在一块本征半导体中掺进不同的杂质使一部分为P型半导体另一部分为N型半导那么在P型半导体与N型半导体的交界处就会形成一个具有特殊电学性能过渡区域称之为PN结。如果PN结没有受外加电压、光照、辐射等的影响并且其所处环境的温度也保持恒定则称为平衡PN结。PN结的击穿特性。