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文本内容:
高纯特种气体的用途
1、氮气-N2,纯度要求
99.999%,用作标准气体、在线仪表标准气、校正气、零点气、平衡气;用于半导体器件制备工艺中外延、扩散、化学气相淀积、离子注入、等离子干刻、光刻,退火搭接、烧结等工序;电器、食品包装,化学等工业也要用氮气
2、氧气-02,
99.995%,用作标准气体、在线仪表标准气体、校正气、零点气;还可用于医疗气,在半导体器件制备工艺中用于热氧化,扩散、化学气相淀积、等离子干刻等工序,以及用于光导纤维的制备
3、觎气-Ar,
99.999%,用作标准气体、零点气、平衡气;甩于半导体器件制备工艺中晶体生长、热氧化、外延,扩散、氮化,喷射,等离子干刻、载流、退火搭接,烧结等工序;特种混合气与工业混合气也使用氯
4、氢气-H2,
99.999%,用作标准气体、零点气、平衡气、校正气、在线仪表标准气;在半导体器件制备工艺中用于晶体生长,热氧化,外延、扩散、多晶硅、鸨化、离子注入、载流、烧结等工序;在化学,冶金等工业中也有用
5、方气-He,
99.999%,用作标准气体、零点气平衡气,校正气、医疗气、用于半导体器件错备工艺中晶体生长,等离子干刻载流等工序;另外,特种混合气与工业混台气也常用.
6、氯气-C12,
99.86%,用作标准气体,校正气,用于半导体器件制备工艺中晶体生长、等离子干刻、热氧化等工序;另外,用于水净化,纸浆与纺织品的漂白、工业废品、污水、游泳池的卫生处理,制备许多化学产品
7、氟气-F2,98%用于半导体器件制备工艺中等离子干刻;另外,用于制备六氟化铀、六氟化硫、三氟化硼和金属氟化物等
8、氨气-NH3,
99.995%,用作标准气体、校正气、在线仪表标准气;用于半导体器件制备工艺中氮化工序,另外,用于制冷、化肥,石油、采矿、橡胶等工业
9、氯化氢-HCI,
99.995%,用作标准气体,用于半导休器件制备工艺中外延、热氧化、扩散等工序;另外,用于橡胶氯氢化反应中的化学中间体、生产乙烯基和烷基氯化物时起氧氯化作用
10、一氧化氮-N0,99%,用作标准气体,校正气;用于半导体器件制备工艺中化学气相淀积工序,制备监控大气污染的标准混合气
11、二氧化碳-C02,
99.99%,用作标准气体、在线仪表标准气体,校正气;用于半导体器件制备工艺中氧化,载流工序,另外,还用于特种混合气、发电,气体置换处理、杀菌气体稀释剂、灭火剂、食品冷冻、金属冷处理,饮料充气,烟雾喷射剂,食品贮存保护气等
12、氧化亚氮-N20,(即笑气),
99.999%用作标准气体、医疗气;用于半导体器件制备工艺中化学气相淀积、医用麻醉剂、烟雾喷射剂、真空和带压检漏,红外光谱分析仪等也用
13、硫化氢-H2S,
99.999%,用作标准气体,校正气,用于半导体器件制备工艺中等离子干刻,化学工业中用于制备硫化物,如硫化钠,硫化有机物;用作溶剂;实验定量分析用
14、四氯化碳-CC14,
99.99%,用作标准气体,用于半导体器件制备工艺中外延,化学气相淀积等工序;另外用作溶剂,有机物的氯化剂,香料的浸出剂,纤维的脱脂剂、灭火剂、分析试剂、制备氯仿和匆物等
15、氤化氢-HCN,
99.9%,用于半导体器件制备工艺中等离子干刻工序;制备氢氤酸溶液;金属氤化物、氤氯化物;也用于制备丙烯腊和丙烯衍生物的合成中间体
16、碳酰氟-C0F2,
99.99%,用于半导体器件制备工艺中等离子干刻工序;另外;用作氟化剂
17.碳酰硫-COS,
99.99%,用作校正气;用于半导体器件制备工艺中离子注入工序;也用于有些梭基、硫代酸、硫代碳酸盐和R塞哩的合成
18.碘化氢-HI,
99.95%,用于半导体器件制备工艺中离子注入工序;还用于氢碘酸溶液制备
19.漠化氢-HBr,
99.9%,用于半导体制备工艺中等离子干刻工序;用作还原剂,制备有机及无机浪化合物
20.硅烷-Sill4,
99.999%,电阻率100Q/cm2,用于半导体器件制备工艺中外延、化学气相淀积等工序
21.乙硅烷-S12H6,
99.9%,用于半导体制备工艺中化学气相淀积
22.磷烷-PH3,
99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、扩散、化学气相淀积、离子注入等工序磷烷与二氧化碳混合的低浓度气体,可用于杀死粮仓的虫卵和制备阻火化合物
23.W烷-AsH3,
99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、扩敷、化学气相淀积、离子注入等工序
24.硼烷-B2H6,
99.995%,用于半导体器件制备工艺中外延、扩散、氧化等工序;用于有些化学工业合成过程如氢硼化反应即生成醇类,有机功能的衰退,制备较高的硼烷衍生物和碳甲硼烷化合物
25.绪烷-GeH4,
99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、离子注入工序
26.锐烷-SbH3,
99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、离子注入工序
27.四氧甲硅烷-si0C2H54,
99.99%用于半导体器件制备工艺中化学气相淀积工序
28.乙烷-C2H6,
99.99%,用作标准气、校正气、在线仪表标准气;用于半导体器件制备工艺中等离子干刻工序;还用于冶金工业的热处理,化学工业中制备乙醇、氧化乙二醇、氯乙烯、高醇类、乙醛等
29.丙烷-C3H8,
99.99%,用作标准气、校正气、在线仪表标准气;用于半导体器件制备工艺中等离子干刻工序;另外,用于燃料、冷冻剂、制备乙烯与丙烯的原料
30.硒化氢-H2Se,
99.999%,用于半导体器件制备工艺中扩散、离子注入工序.
31.儒化氧-H2Te,
99.999%,用于半导体器件制备工艺中扩散、离子注入工序.
32.二氯二氢硅-siH2cl2,
99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、化学气相淀积工序
33.三氯氢硅-siIIC13,
99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、化学气相淀积工序
34.二甲基«$-CH32Te,
99.999%,用于半导体器件制备工艺中扩散.离子注入工序
35.二乙基W-C2H52Te,
99.999%,用途同
1436.二甲基锌-CH62Zn,
99.999%,用于半导体器件制备工艺中化学气相淀积工序
37.二乙基锌-
99.999%,用途同
1638.三氯化磷-Pcl3,
99.99%,用于半导体器件制备工艺中扩散,信的外延生长和离子注入工艺-PCI是有机物的良好氯化剂,也用于含磷有机物的合成
39.三氯化砰-AsC13,
99.99%,用于半导体器件制备工艺中的外延和离子注入
40.三氯化硼-Bcl3,
99.99%,用于等离子干刻、扩散;作硼载气及一些有机反应的催化剂I精炼镁、锌、铝、铜合金时从溶化金属中除掉氮、碳,氧化合物
41、四氯化硅-SiC14,
99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、化学气相淀积工序
42、四氯化锡-SnC14,
99.9%,用于外延,离子注入
43、四氯化错-Gecl4,
99.999%,用于离子注入
44、四氯化钛-TiC14,
99.99%,用于等离子干刻
45、五氯化磷-PC15,
99.99%,用于外延、离子注入
46、五氯化W-SbC16,
99.99%,用于外延、离子注入
47、六氯化ffi-MoC16,
99.9%,用于化学气相淀积
48、三漠化硼-BBr3,
99.99%,用于半导体器件制备工艺中离子注入工序和制备光导纤维
49、三溟化磷-PBr3,
99.99%,用于外延、离子注入
50、磷酰氯-P0C13,
99.999%,用于扩散工序
51、三氟化硼-BF3,
99.99%,用于离子注入,另外,可作载气、某些有机反应的催化剂,精炼镁,锌、铝、铜合金时从熔化金属中除掉氮,氧、碳化物
52、三氟化磷-PF3,99%,用于外延、离子注入工序;另外用作氟化剂
53、三氟化W-AsF3,
99.9%,用途同
1254、二氟化S-xeF2,
99.9%,用于外延、离子注入工序,用于固定模具质的考察及原子反应堆排放废气中鼐的测定
55、三氟氯甲烷-R—13,
99.995%,用于等离子干刻工序;冷冻剂、空调均可用
56、三氟甲烷-CHF3,R-23,
99.999%,用于等离子干刻工序;低温冷冻剂
57、三氟化氮-NF3,
99.99%,用于等离子干刻工序|火箭推进剂、氟化剂
58、三氟漠甲烷-CBrF3,R13B1,
99.99%,用于等离子干刻工序;还用于空调、低温冷冻及灭火剂
59、三氟化硼,
99.99%,用于离子注入工序;还用于制备光导纤维
60、四氟化碳-CF4,R—14,
99.99%,用于等离子干刻工序;在很低温度下作为低温流体用,也用于中性及惰性气体。