1000012574390611_应变量子阱激光器和被动型光波导单片集成

的频率范围内，但在采用激光器作光源的情况下的温度稳定性这不是一个障碍同时谐振器与多束干涉仪固有的反射镜之间的距离之间保持明显的依赖关系，原则上无色散法布里一伯罗干涉仪为测量很小的相位共扼镜位移提供一种有效的工具众所周知,相位共貌镜具有光学系统的相位本文探讨的是具有反常频率色散的多层电介补倍作用若在激光放大系统中,插入相位共驼说,质反射销的计算方法并得出其结构使用多束反获可以得到光束质量好的放大化,因此正在进行着射式干涉仪的理论元件，提出一种反射镜方案，利用布里渊散射产生相位共扼波的研究本文用它给出转化而来的较大的\d/ds|值，并因此能制激光介质作用中线性介质，实理了具有极高反射作具有大基底——到数十微米和对位移具有高灵率的相位共辄镜在激头介帝肉埒醐光和两束泵敏度的无色散多束双反射镜干涉仪.由于振幅大使浦光形成的增益烧孔效应引起非线性偏振,而产生反射进入其反射镜的结构中伯国共规波研究人员做实验是在YAG晶体的李蓉芳属译两端配置反射镜，并以这种光学系统使探测九多次通过YAG晶体随着探测光通过晶体次数的小外形尺寸的全息摄影增加,相位共辄波的反射率（探测光强度或者相位固体分布反馈激光器共辄波强度）增大，通过晶体两次可获得140%的反射率,4次可获得的斤射率（探测光强度，泵浦本文报道关于以若丹明6G激活的环形聚合光强度才别为饱和强度的

0.12%,15%）.由于Nd物为基础在全息摄影分布反馈激光器（P0C）中|YAG晶阵不仅具有非线性，而且具有激光介质获得振荡这种激光器振荡波长的温度灵敏度以原来的放大作用，所以能实现高反射率30倍小于类似的染料溶液分布反馈激光嚣的性能这种相位共扼镜具有放人器件的作用如果在用脉冲宽度15ns・能量2M J的YAE小广激光应用到MUPA系统上，那么光学系统大幅度地小的二次谐波辐射激发的情况下，在振荡波长型化是可能的另外它不同于白史源散射，没白587nm处固体全息摄影分布反愤激光器的转换效彼K奄化，期望其今后的父庾率达14%,光谱线宽为

0.OOlnm.在光感应POC基础上得到高效振荡的条件心变量子阱激光器之一是在激活介质中存在高质量的空间晶格，这是在用具有高度空间一时间相干性的辐射光束激和被动型光波导单片集成发染料溶液的情况下形成的实际的泵浦光束存在有限的空间相干性，对光学系统和光束在染料制作光集成电路的一个关键是如何高效率地溶液中配置的精度加以严格的要求这必然导致将激光器、波导之类禁带宽度不同的光学元件连POC激光器的结构复杂化然而甚至在排除POC接集成本文就有关利用有机金属化学气相生长结构与泵浦辐射的空间相干性依赖关系情况下仍法M0CVD法的选择性外延生长法所生长的量保持光感应晶格的质量与激发辐射时间相干性的子阱户膜厚控制以及In-GaAs/GaAs应变量子阱依赖关系这决定了对泵浦激光单色性的程度有激光器与波导的集成化的实现做了阐叙在很高的要求GaAs基板上配置的SiO,掩模上不发生晶体生长，这样一来,采用被染料活化的环形聚合物作生长速度依赖于该掩模宽度和生长范围的条宽激活元件能够提高全息摄影POC激光器振荡波长就本元件结构而言,SiO,掩模宽度窄，生长速度就加快，当SiO2掩模宽度为200呻,则阱户宽度为优质薄膜期待今后使用本薄膜光波导的光功能47A，发光波长为

9511.4A,而当SiO掩模宽度器件的研究取得进展为50四m,则阱户宽度为1191，发光波长在

10120.6A范围变化因此,激光器部位的掩模宽度窄，而波导部位制成宽的图案，可以进行简单实时数字化机载集成器件由3个阶段的晶体生长制成第一次CCD侦察相机系统生长形成下部AlGaAs/GaAs覆盖层之后，形成SiO图案，接着生成GaAs/InGaAs应变量子阱Chengye Mao等人在国际光学工程学会会录户，然后去掉SiO,°连续生长上部覆盖的Proc,of SPIEVOL.2272±发表了他们研究的AlGaAs.GaAs层，最后试制成器件CCD机载相机系统，并阐述了这种相机对环境、作为利用M0CVD生长优点的集成技术而农业方面的监测结果相机系统是由数字化CCD引人注目在依赖于晶体方位的本方法中不仅要视频相机、图像帧咬合取样器电路板、全球定位适应直线波导，如何适应各种各样形状波导图形系统、计算机硬件和软件组成此相机系统采用是今后研究的重点之一了市场上现有的产品组装了多光谱传感器系统这种传感器系统可用来实时捕获农业和环境监测在GaAs基板上外延生长数据的LiTaO3光学薄膜,三台CCD相机具有不同的滤光片，同时捕获同一目标的多光谱图像相机系统可以执行数字图像捕获和实时数据存储全球定位系统可获如果在半导体基板上可外延生长LiTaOs之得目标在不同时间的位置信息在执行任务时，类的强电介质薄膜，在强电介质基板上可外延生长半导体，那么在单片上可集成半导体激光器、除实时标出图像位置外，还标出目标所在的帧SHG器件以及光调制器件等，以期待这些器件的根据全球定位系统获得的位置信息或帧的标记，高性能化和小型化过去晶体结构或晶格常数不地面接收站直接回收数字图像获得的图像可以同的材料间的异质衬底外延生长很困难最近在转换成用各种现有的图像处理软件可分析的各种AhCX基板上生长的GaN发生蓝色LED振荡等，格式在地面站用软件完成波段间精确配准正在取得显著成果本文就有关在GaAs基板上吴仕英捕译外延生长的LiTaO,薄膜做一阐述首先在GaAslll面上利用电子束蒸镀法形成缓冲.层MgO薄膜，基膜厚为100〜500nm左右,加热到450〜500C便生成基板，然后利用K,F准分子激光器的激光去除法使LiTaO,生长当LiTaO3生长时，基板被加热至560C,在生长室引入150torr的氧气在环境所得到LiTaO3薄膜通过RBS.XRD来分析其组成和晶体结构Li成分含量略大，由XRD的详细讨论得出结论认为单晶LiTaO3是在0001方向生长薄膜表面的平滑尚存在若干问题，但可以断定光波导能够使用这种。