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PHOTOEQ新暹同仁教育奇服柬教材V果程名稠:TrackConfiguration及功能曾介欲^之目本票:期使新谨同仁熟悉了解TrackConfiguration及功能撰瘾者:白昆明最彳复修tT者版本:L0编虢:T-1内容TRACK械台在黄光显最主要功能是揩WAFER(晶片)作光阻覆盖,以借STEPPER(封津檄)曝光.接著符已曝光俊之WAFER予以DEVELOPER^影使IH型能完全定羲出.TELMARK7MARK8:TEL之TRACK檄台在黄光国可分;M丽槿型式MK-8MK-7雨槿,主要差昇在MK-8上有加装FILTER(谩滤器),所以各彳固CONTROLLER(控制器)可放在械台上方,以^省空置至於MK-7械台上方^^放式空臣所以各彳固CONTROLLER(控制器)需放在械台下方.INLINE舆OFFLINE:黄光TRACK檄台又依是否和STEPPER避泉,可分IN-LINE及OFF-LINE雨檀OFF-LINE又可再分COATER(光阻覆DEVELOPER例影陶ADIREWORKSCRUBBER(工程用刷洗陶,及POLYIMIDE(聚乙醯箭).IN-LINE基本上可看成COATER舆DEVELOPER合保主檄依功能癌分IN-LINETRACK可分CARRIERSTATIONPROCESSSTATIONINTERFACEEBR:10ML/MIN.SOVLENTNOZZLE:一般;MOFF.有RRC功能日寺才使用.BACKRINSE1BACKRINSE2:50ML/MIN.SOLVENTBATH:一般;MOFF.2-32-7HMDSBUBBLINGN2:3NL/MIN.2-32-7HMDSDILLUTION:4NL/MIN.2-32-7HMDSVAPORLINE:7NL/MIN.25:光阻管路光阻瓶-BUFFERTANK-PUMP-FILTER-制鼠及回吸^整^-NOZZLE.BUFFERTANK:暂存光阻避免氟泡直接迤入管东泉中,造成MICROBUBBLE类有CAPACITYSENSOR可侦测光阻是否用光.上方有自勤排氟包系统可方便光阻瓶排氧泡.PUMP:DISPENSER寺摘屋光阻至FILTER回程日享将光阻瓶内光阻吸出以借下次DISPENSE.可精硅控制喷量及喷速;M焉逵H勤方式.FILTER:谩滤光阻PARTICLE.有排氧泡年基及回吸整摩脚寺可DISPENSE光阻,解酷吉束DISPENSE速度可整.回吸言周整^可^整回吸速度及回吸高度.NOZZLE:前端有温度控制.26:HMDS管路:HMDS瓶一BUFFERTANK-FILTER-BUBBLINGTANK一流量言十-HMDS熟板.-BUFFERTANK:暂存HMDS避免氟泡直接暹入管4泉中,造成MICROBUBBLE类有CAPACITYSENSOR可侦测HMDS是否用光.上方有手勤排氟泡口蜀可方便排氧泡.FILTER:jiMHMDSPARTICLE.有手重力排氟泡^可排氟泡.BUBBLINGTANK:A.液位言十(浮球式)可知液位高低常侦测到BUBBLINGLOW日寺可自朝f充.BUBBLING管:N2加屋在液位下方作冒泡以羟生HMDS蒸氟DILLUTION:N2稀释HMDS蒸氟浸度.HMDSSUPPLY:祷充HMDS至^BUBBLINGTANK.HMDSVAPOR:供凝MDS蒸氟至HMDS熟板.DRAINTANK:容名内HMDS)!液(由BUFFERTANK及FILTER扫F氧泡畴之J1HMDS液.)有液位浮球SENSOR可侦测是否斶夜漏
27.EBRBACKRINSESOLVENTBATH管路CSS-EBRPUMP-FILTER-流量言十一^居取同一NOZZLE.CSS:CHEMICALSUPPLYSYSTEM:由摩矜提供之自勤供鹰系统.EBRPUMP:由RAP揩OK82供鹰至檄台.FILTER:谩滤PARTICLE.^居时蜀夬定EBRBACKRINSE等是否作清洗勤作.MAINARM曾介:COATER及DEVELOPER架情相同A.可XYZTH四本由逋勤.B.手臂有三集由上而下分别是ARM3ARM1ARM
2.探用^取方式抓或放晶片.非真空吸取方式.ARM3^由冷板抓晶片至COATER或DEVELOPER事用可避免ARM符热量僖到冷晶片上,造成OATING日寺膜候不均,或DEVELOPING日寺CD不穗.ARM3舆ARM1有徽篮隔圈可避免ARM1或ARM2之都的晶片符熟量僖至ARM3的冷晶片上,造成COATING日寺膜候不均,或DEVELOPING日寺CD不稳.MAINARM前端有SENSOR可俱冽[WAFER是否存在.用以检查MAINARM上的晶片,是否正硅送出正硅僖回.MAINARM僖送WAFER位置要非常精硅,否即曾造成RBR清洗大小遏,或在冷热板上掉片,叠片.DEVELOPERUNIT曾介璟境控制受FAB温源度控制温度23度C漏度40%冬至谩滤氟予以谩滤.璟境之温度,漏度,凰速均曾影警CD大小但燮化不大.DIRINSE:由ARM2移到晶片正中心位置再依程式内^定作予翕房或清洗.BACKRINSE:用DI水清洗晶背,防止晶背PARTICLE及符渗到晶背的^影液清洗乾浮.避免污染晶片MAINARM及冷热板.SPINCHUCK:利用真空以吸住晶片,避免晶片在旋樽中掉片•潢槽大接斶面小可减少晶背PARTICLE.陷阱槽防止晶片在高速旋醇日寺揭起PARTICLE^直有抽凰).禹逵带勤CHUCK旋醇.在禹逵上方有FLANGE有冷谷水循璟,可避免焉逵因高速旋斡崖生热量热更由禹逵心率由僖至CHUCK再傅至晶片,迤而影警CD.E2NOZZLE:可同日寺由一百多彳固小孔喷在晶片上,逵到均匀覆盖目地.有循JI水可控制^影液温度影液温度不同曾影警CD.一般《勺23度C.影液同日寺由E2NOZZLE丽端雨管祷充,由中央一管排氧泡.E2NOZZLE:HOME位置有N2作密氟防止^影液下滴落,造成氟泡.ARM1:可依程式内容揩E2NOZZLE移到晶片正中心以利上^影液.也可依程式内^定之不同而定位在不同位置.DRAIN:排影液至摩矜水虑理.SPINCUPEXHPRESSURE:用以盛浏J抽凰值的大小DEVELOPER一般;M
7.0MMH20可由手勤DAMPER^整大小.EXHERRORRESETSW.:若摩矜保抽凰有昊常日寺可待系统恢彳复正常彳爰按此维,此日寺在陷阱槽内之崖品需作修改.SPINNERVAC:用以测真空值的大小,可防止因真空度不足畤,造成破片.一般在650以上.DUMMYDISPENSEPANEL:影液予即贲控制J器.可防止喷嘴乾掉,觐查DISPENSE册兄.AUTOMODE:依DUMMYDISPENSER定日寺^行于直喷(一般/勺30分^)或每批的第一片OFFMODE:不载I行于直喷.PR依现在的程式内^定DISPENSE的日寺置轨行予即官S1S2即^影液12管S3;MRINSE管S4未指定.TIME:DISPENSE日寺置最多999秒.STARTSTOP:轨行/停止御g.NOZZLEUP/DOWN:招E2NOZZLE予以升起以便检查DISPENSE月犬沆.若生羟崖品前作于即意且忘言己揩NOZZLEDOWN即JMAINARM曾停在冷板前不勤作,且不曾ALARM.NOZZLEIN/OUT:E2NOZZLEf■移至UCHUCK中心,且CHUCK曾下降CHUCK真空曾勤作.可利^检查E2NOZZLE舆晶片^隙
1.0MM.RECIPE燎表示有RECIPE.若辗RECIPE即BfPR畤辗法轨行E2NOAZZLE于躺.AIRVENTSTOPSW:作御鄢寺可同晞恃AIRVENT^O曷起不作排氟泡.一般逗PR音殳定002秒NOZZLEUP再按START轨行颈喷.检查有辗氧泡,回吸状况影液是否正常而一致地廉状喷出,且不曾打结.若逗S1畴者殳定之日寺^不要超出002秒,否责喷量曾不足辗法正常祷充^影液,且喷的状况曾很奇怪造成^判.ARMPOUSEB暂停ARM之移孰勿任意使用,尤其MAINARM在高速建勤日寺曾折损皮带.SPINSTOP:强制停止晶片之旋率摹富晶片有殿重偏心旋傅日寺.可用此维强制停止,可避免破片.但^晶片需作修改.INTERLOCK:力有保言海^信昌若在生羟羟品中任意^启攵曾聚急停止,羟品需修改.COATERWINDVELOCITY:COATER陷阱槽凰速^示器.SUBTANKAUTOSUPPLYOPERATIONPANEL:可作SUBTANK^影液祷充.RESTII富SUBTANK出现EMPTY日寺可按此维再作SUPPLY的管言式.STOP维停止.SUPPLY燎示正在供女年伏熊.FULL燎表示已祷充至满的状憩.OVERFLOW:表示未在指定的日寺内祷充满液位,或OVERFLOWSENSOR勤作.EMPTY:表示未未甫充到满的位置.SUBTANKDRAINSW:勿使用.弓金制加HN2至SUBTANK以排^影液至DRAIN.t■造成OVERFLOWSENSOR勤作.LEAKMONITORPANEL:用以指示漏液位置.一般其LEAKSENSOR正常:^女亲燎侦测到有漏日寺醇:M缸色燎.C/S亮燎表示CARRIERSTATION有漏光阻.P/SHMDSCART亮鹭HMDS有漏.P/SCOATER1亮燎:2-1COATER陷阱槽有漏.P/SCOATER2亮燎:2-2COATER陷阱槽有漏.P/SDEV1亮燎:3-2DEVELOPER陷阱槽有漏.P/SDEV2亮燎:3-3DEVELOPER陷阱槽有漏.TEMPHUMIDCONT亮燎二^的温晶度控制器有漏.EXTERNALCABINET亮燎二^的CSS系统有漏.流量^及屋力表E2NOZZLE:
1.2L/MIN蠲影液流量.E2NOZZLEBLOW:20ML/MIN.吹N2防止^影液滴落.RINSENOZZLE:
0.9L/MIN.DIRINSE.BACKRINSE:100ML/MIN.晶背DI水清洗.E.累直影液祷充至SUBTANK之屋力言十表整曾改^^影液祷充速度.E2NOZZLEBLOWjl力表
1.0KG/CM
2.RINSENOZZLE屋力表:
1.0KG/CM
2.BACKRINSE屋力表
1.0KG心M
2.SUBTANK及HIGHLOWLEVELSENSOR:悬直影液暂存桶及液位侦测器.JACKET:影液温度控制器像交换氟.由CIRCULATOR流出之冷谷]水在此舆影液作低一次热交换.注意由CIRCULATOR流出之冷谷水在E2NOZZLE日寺仍曾有温控.^影液管路:CSS-DEVELOPERPUMP-SUBTANK—流量多十--FILTER-^^^-E2NOZZLE.CSS:CHEMICALSUPPLYSYSTEM:由摩矜提供之^影液自勤供愿系统DEVELOPERPUMP:由RAP颗DEVELOPER供愿至檄台.SUBTANK:影液暂存桶利用N2加|屋以便供愿至E2NOZZLEFILTER:®1PARTICLE.决定DEVELOPER^尾曷及回吸整.E2NOZZLE:均匀的^^影液喷出.RINSE及BACKRINSE管路摩矜DI水--流量言十--FILTER-^信曷蜀--NOZZLE.FILTER:造好ARTICLE.^居时蜀决定DI水^居昌及回吸^整.NOZZLE:稳定的符DI水喷出.FLOWMETERAMP:械台所有的流量侦测器的放大器一般流量侦测器未侦测到流量日寺(浮球未升起)亮^燎,侦测到流量畤(浮球升起日寺)亮缸^燎.COATER:BACKRINSE12HMDSEBR.DEVELOPER:E2NOZZLERINSENOZZLEBACKRINSE.INTERFACE曾介4-1可作PICKUP(PILOT用)也可作影暂存国.生崖用晶舟.4-24-3:STEPPER暂存H.卷戟晶舟.4-6:FIXCOOLINGPLATE除上只是DEVELOPER及INTERFACE的MAINARM交换晶片未置.4-4:COOLINGPLATE:冷板,有PIN可UP/DOWN.4-5:STEPPER.MAINARM:同CARRIERSTATIONARM但多了TH率由可旋率挈ARMPOUSE:同C/SARM.WAFEREXTRUDESENSOR:同C/SARM.INTERLOCK:同C/SARM.J.操作面板同C/S.檄台彳爰方械横冷热板曾介A.可^由程式中学殳定不同加热及冷谷I温度及日寺B探用PROXIMITYTPYE近接式加热或冷谷山而不是探用接斶式加热或冷W可避免造成晶背污染.C.PROXIMITYGAPE:
0.1MM陶瓷薄片,在晶遏位置考十六黠.D.防滑装置:
2.0MM陶瓷,避免晶片位移.PINUP/DOWN:三建PIN用以接晶片.由氟屋缸作停勤.BEFOREBAKEAFTERBAKE:BEFOREBAKE:三集PIN接晶片彳爰不直接下降至熟板加热,依程式内畤^作^熟彳绘PIN下降再加热晶片.AFTERBAKE:三集PIN接晶片接直接下降至熟板加热,依程式内日寺^加熟彳绘PIN上升在熟板上方等待.COVERUP/DOWN:HMDS盖板需密氟抽真空及上HMDS蒸氟再排氧需有COVER及密封璟作密氟.由氟屋缸作停勤.SHUTTERUP/DOWN:一般熟板不必完全密氟作加熟,需有通凰及抽氧STATION三部份.OFFLINETRACK可分CARRIERSTATIONPROCESSSTATION丽部份.CARRIERSTATION:收放WAFER用.言十有四偃JSTAGE可下材料,及一名且CARRIERSTATIONARM用以僖送晶片.PROCESSSTATION/.INLINE可分COATERUNIT(冷热板HMDSCOATER陷阱槽MAINARM).DEVELOPERUNIT(冷热板DEVELOPER陷阱槽WEE遇遏曝光MAINRMM).
2.OFFLINECOATER只有冷热板HMDSCOATER陷阱槽MAINARM.OFFLINEDEVELOPER只有冷热板DEVELOPER陷阱槽MAINARM.POLYIMIDE有冷热板PICOATERPIDEVELOPERMAINARM.SCRUBBER有冷热板,反醇檄横,晶背刷洗@竟洗),正面刷洗(超音波震谩)MAINARM.INTERFACESTATION潟TRACK舆STEPPER之介面,可分:冷板BUFFERSTAGE(暂存H)INTERFACEARM.RAP附^^施INLINE:CHEMICALBOX(EBR及DEVELOPER自勤供鹰系东充),TEMPERATURE/HUMIDITYCONTROLLER(温漏度控制器)MULTICONTROLLER(冷板CIRCULATOR控温)TRANSFORMER(燮屡器).OFFLINECOATER:CHEMICALBOX(EBR自勤供愿系统)作成璟状由氟屋缸作僖勤..冷板盖板触冷谷IL不^^盖板,可直接抽出,不必作UP/DOWN.WEE曾介WAFEREDGEEXPOSURE:晶遏曝光/勺3MM大小.B.水金艮燎光源幺空谩光^僖至聚焦^作FOCUS控制,再由SHUTTER控制光的通谩,可娄寸晶片做外遇IS圈状曝光或《泉状曝光(可曝平遏).C.水金艮燎毒命2000小日寺.D.水金艮燎降温抽凰11MM/H2O.)^矜若抽凰停止超出7分^以上,水金艮燎温度超遇90度C曾自勤符水金艮燎熄:威,若抽凰辗法立即供J1位避免水金艮燎不正常升温可先招WEE雷源切掉.E.温度控制温度超谩90度C曾自勤招水金艮燎熄滋.CIRCULATOR:可堂寸光阻温度感影液温度,光阻MOTORFLANGE^影液MOTROFLANGE作温控.可依不同需求定不同温度.外部循璟摩矜冷谷|3水带走热量.内部循璟由DI水及IPA^g成的冷煤,循璟至光阻喷嘴,光阻MOTORFLANGEE2NOZZLEJACKET(^影液热交换器)^影液MOTROFLANGEMAINARMDRIVER:MAINARM禹逵片超勤器:X3X2X1三率由Y本由Z事由TH聿由.摩和共朦AIRN2VACDI水,冷谷)]水SOLVENT抽感ALK抽感各面板^示A.CONFIGUATION:械台架情U/C:UNITCASSETTE.AD:HMDS熟板.L.OVEN:热板.T.COOL:冷板.WDS:CUPWASHDISCK清洗COATER陷阱槽.EXT:EXTENSION^COATER及DEVELOPER手臂交换晶片位置.WEE:WAFEREDGEEXPOSURE曝晶if.DEV:累直影陷阱槽.BUFFER:螯寸型暂存ICOOL:INTERFACECOOLING冷板.5-6ICOOL:;MDEVELOPER及INTERFACE手臂交换晶片位置.P/U:PICKUP(原摩官殳言tMPILOT用,现卷^影暂存显.WFSTG:STEPPER坐寸型耀可之BLOCK数,UNIT敦UNIT名耦,晶片位置.FLOW:各程式的流程:COATERDEVELOPERINLINE流程.流程虢礁,流程名耦,步骤数.P:指:MPILOT.R READY等陷阱槽虑理完MAINARM才曾由冷板抓晶片.W:WAIT下一彳固UNIT辗法虑理日寺在此暂停.即BUFFER功能.M;MULTIPURPOSE:多功能,即可言殳不同温度及霓理曰寺C.指各彳固LOT可同日寺1CASSETTE2CASSETTE3CASSETTE或4CASSETTE^—LOT.D.RECIPE:程式^定HMDS冷热板COATERDEVELOPER及DUMMY程式WEE.及每彳固程式轨行步骤.DATA:资料温度耨速,曝光能量及日寺置STATUS:弁犬熊RTR:READYTORECEIVE型倩接收.RTS:READYTOSEND型借停送.BUSY:忙站中.黜俄.可知各BLOCKUNITMONITORJ1目,言殳定值,祭值.如MASSFLOW^度50%光阻温度COATER陷阱槽温度源度,凰速MOTORFLANGE温度冷热板温度盘直影液温度等等.TEMPERATURE/HUMIDITYCONTROLLER指漏度控制器)MULTICONTROLLERC令板CIRCULATOR控温)TRANSFORMER(燮屋器).OFFLINEDEVELOPER:HEMICALBOX(DEVELOPER自勤供JI系冬充)MULTICONTROLLER令板CIRCULATOR控温)TRANSFORMER(燮器).ADIREWORKSCRUBBER:MULTICONTROLLER4冷板CIRCULATOR控温),TRANSFORMER(燮屋器)至於CHEMICALBOX即M并在檄台尾.POLYIMIDE:只有TRANSFORMER(燮屋器).至於CHEMICALBOX印M并在械台尾)各UNIT之女田部II分CARRIERSTATION(翻再C/S):谩滤器谩滤PARTICLE.POWERSWITCHWEESWITCH:械台甯源^信昌遇遏曝光雷:源^信昌.RESISTAIRVENTOPERATIONPANEL(光阻扫F氧泡操作面板)MODE:可ilOFFMANUALAUTO.A.在OFFMODE日寺可依逗定管路考殳定排氯泡日寺置由UPDOWN言殳定.一般^10秒.B.在MANUALMODE日寺,可依逗定管路直接屋START维作排氯泡不受含殳定排氧泡日寺^影警若手不一直屋START卷建用四吉束排氟泡勤作.C.在AUTOMODE日寺按一次STAR*建日寺,可依逗定管路依^定日寺排氟泡.按STOP维可立即停指排氟泡.NOZZLESEL:可逗定要扫F氧泡之管路.可依COATER2-1或COATER2-2逗撵RESIST1-1(光阻第一管第一瓶),RESIST2-1(光阻第二管第一瓶)RESIST
3.(第三管光阻).RESIST1-2(光阻第一管第二瓶),RESIST2-(光阻第二管第二瓶)RESIST
3.(第三管光阻).STARTSTOPB可轨行/停止排第包.STAGE1-1至-4可放四彳固CASSETTE有CASSETTESENSOR可俱沏J是否放CASSETTE.CARRIERSTATIONARM:A.可YXZ三方向移蜀j.MAPPINGSENSOR可值阳(jCASSETTE内WAFER位置.捕瞄日寺MAPPINGSENSOR可伸出4吉束畤收回.WAFERSENSOR可仅阳QWAFER是否存在.D.陶磁PINCETTE迤出CASSETTE内以便^取或存放WAFERS非真空式吸取,可降低PARTICLE.E.陶磁PINCETTE部份接斶晶背,降低PARTICLE.F.四集PIN可上下以利停送WAFERWAFEREXTRUDESENSOR:可慎洌JWAFER是否突出CASSETTE.可侦测陶磁PINCETTE是否正碓傅送及接收WAFER.EMOSWITCH:累急停止维.CARRIERSTAGESWITCH:可START及STOPCASSETTE的虑理.放CASSETTE日寺CARRIER亮燎STANDBY为燎.接著STANDBY亮燎日寺MAPPINGSENSOR^女台勤作•等MAPPING名吉束彳绘RUNNING亮燎.STANDB丫熄、燎.整彳固作完日寺RUNNING熄燎FINISHED亮燎.ARMPOUSE:可暂停C/SARM的僖送.LED燎供AGV定位用.操作面板.稍彼再介貂.光阻瓶存放位置:可放四槿光阻,或三槿光阻及一槿ARC.光阻一可雨瓶自勤切换,光阻二可雨瓶自勤切换.光阻三不可互换.PI/O:PHOTOI/O供AGV舆TRACKCOMMUNICATION用.指示燎COATERUNIT曾介琪境控制由温漏度控制器控制温度23度C漏度45%凰速
0.3米/秒的空氟,^谩滤氟予以谩滤.各有温度言十漏度言十凰速言十可侦测其值.已^谩二^RAP温源度控制器控制之空氟由醇管接至械台,再^由手勤DAMPER可控制其凰速大小国空谩滤氟谩滤PARTICLE彳爰到陷阱槽上方.璟境之温度,漏度,凰速均曾影警光阻膜厚大小.EBR:清起晶邃使用溶却DK
82.由ARM2移到晶遏位置再依程式内^定作晶遏清洗.一般幺勺2MM寞.BACKRINSE
1.BACKRINSE2:用以清洗晶背.使用溶野JOK82防止晶背PARTICLE.SPINCHUCK:利用真空以吸住晶片,避免晶片在旋樽中掉片•潢槽大接斶面小可减少晶背PARTICLE.陷阱槽防止晶片在高速旋醇日寺揭起PARTICLE^直有抽凰).禹逵带勤CHUCK旋醇.在禹逵上方有FLANGE有冷谷水循璟,可避免焉逵因高速旋斡崖生热量於盛由禹逵心事由傅至CHUCK再傅至晶片迤而影警光阻膜厚.光阻管路:PR1PR2PR
3.可依程式内^定抓取指定之光阻管有循璟水可控制光阻温度.光阻温度不同曾影警膜厚.一般《勺23-24度C.依程式内光阻温度^定不同而改燮.故在不同程式中可能因不同温度^定曾ALARM但曾自勤升或降至^定温度而if^行.ARM1:可依程式内^定抓取指定之光阻管,旋移到晶片正中心以利上光阻•也可依程式内含殳定位置之不同而定位在不同位置.SOLVENTNOZZLE:利用RRC功能可降彳氐光阻消耗量.ARM熊哥NOZZLE移至晶片正中心,上OK82予翕晟晶片,接著再上光阻.SOLVENTBATH:ngOK82在NOZZLETIP下方.崖生能和蒸氟可避免光阻^^乾掉詹伴随光阻DUMMYDISPENSE的轨行作DISPENSE可防止DRAIN阻塞.DRAIN:排光阻液至一液桶.MASSFLOWCONTROLLER:在高架地板下方,用以控制旋穗定抽凰.一般控制^度:M50%.SPINCUPEXHPRESSURE:用以盛阳I抽凰值的大小COATER一舟殳;M
4.0MMH20可由手勤DAMPERS整大小.EXHERRORRESETSW.:若摩琢系抽凰有昊常日寺可待系统恢便正常彳爰按此维,此日寺在陷阱槽内之崖品需作修改.SPINNERVAC:用以测真空值的大小,可防止因真空度不足畴,造成破片.一般在650以上.DUMMYDISPENSEPANEL:光阻蔚W控制器.于部方光阻喷嘴乾掉嬴查DISPENSE状况AUTOMODE:依DUMMYDISPENSER定日寺^行予即贲(一般条勺30分^)或每批的第一片OFFMODE:不轨行御竟PR:依现在的程式内^定管路及DISPENSE的日寺可轨行颈口竟P1「2尸3即光阻123管.TIMER:DISPENSE次数.0次辗法轨行PR予期竟最多999次.STARTSTOP:孰行/停止于期竟MEASURE:喷量量测一般依RECIPE内容轨行以检查喷量.NOZZLEUP:糊1定之喷嘴予以升起以便检查DISPENSE及兄.若生崖崖品前作^喷,且忘言己招NOZZLEDOWN即JMAINARM曾停在冷板前不勤作,且不曾ALARM.RECIPE燎表示有RECIPE.若辗RECIPE即BiPR日寺辗法轨行颈喷.一般逗PR股定001次NOZZLEUP再按START轨行知t检查有辗氯泡,回吸册兄•回吸高度2MM,有辗光阻残留在喷嘴旁喷嘴是否有撞歪,损彳募.ARMROUSED:暂停ARM之移孰勿任意使用,尤其MAINARM在高速建勤日寺曾折损皮带.SPINSTOP:弓金制停止晶片之旋醇常晶片有殿重偏心旋傅日寺.可用此维强制停止,可避免破片.但^晶片需作修改.INTERLOCK:有保^^信昌若在生崖羟品中任意^启攵曾聚急停止,羟品需修改.RESIST1RESIST2AUTOCHANGEOPERATIONPANEL:光阻自勤更换逗撵.由指^^居昌可ilBOTTLE1AUTOBOTTLE2一般逗在AUTO位置以利自勤更换.若只ilBOTTLE1或BCHTLE2表示只一直使用^瓶,而簸去轨行自勤切搀L/E量燎表示言亥瓶光阻已用光,需更换.SUPPLY量燎表示正在使用吉亥瓶光阻.HMDSAUTOSUPPLYPANEL:MODE可切换OFFMANUALAUTO.一周殳在AUTO可轨行自重力供愿.在MANUALMODE日寺,按SUPPLY可由HMDS瓶供鹰HMDS至BUBBLINGTANK.按多久可未甫充多久富EMPTY或HMDSHIGH亮镇寺刖不再襁充.DRAIN:弓金制符HMDS由BUBBLINGTANK抖F至DRAINTANK.STOP:可停止HMDS供愿.D.各指示燎及意羲.HMDSSUPPLY:HMDS供中.BUBBLING:正在作BUBBLING(冒泡)BUBBLERHIGH:表液位已祷充至高黑占,自勤停止HMDS祷充.BUBBLERLOW:表液位已彳氐,须神充HMDS.LIQUIDEMPTY:CAPACITYSENSOR值混住(JBUFFERTANK已空需换HMDS新瓶.OVERFLOW:表示DRAINTANKJ1液已满.TIMER1:(AIRVENTTIME)表HMDSE供愿至BUBBLINGTANK*吉束彼需再排氟日寺TIMER2:AD2-32-7HMDSPRESSUREGAGE:HMDS瓶N2加屡屋力,
0.5KG/CM
2.AD2-32-7HMDSBUBBLINGPRESSUREGAGE:BUBBLING瓶内作BUBBLING(冒,包)及DILLUTION(稀释用)N2屡力,1KG/CM
2.流量言十。