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镀膜技术常用名词及英文对照、真空镀膜1vacuum coating在处于真空条件下的基片上制取膜层的一种方法、基片2substrate被镀膜的基体材料我们称之为基片,通常也叫做工件或试片、镀膜材料3coating material用来制取膜层的材料,通常称之为靶材、蒸发材料4evaporation material在真空蒸发中用来蒸发的镀膜材料溅射材料5^sputtering material在真空溅射中用来溅射的镀膜材料、膜层材料6film material称之为膜层介质,指组成膜层的材料、蒸发速率7evaporation rate在给定的时间间隔内,蒸发出来的材料量,除以该时间间隔、溅射速率8sputtering rate在给定的时间间隔内,溅射出来的材料量,除以改时间间隔、沉积速率9deposition rate在给定的时间间隔内,沉积在基片上的材料量,除以改时间间隔、镀膜角度10coating angle入射到基片上的粒子方向与被镀表面法线之间的夹角、真空蒸镀11vacuum evaporationcoating在真空条件下,使镀膜材料蒸发的真空镀膜过程、同时蒸发12simultaneous evaporation用数个蒸发器把各种蒸发材料同时蒸镀到基片上的真空蒸发、蒸发场蒸发13evaporation fieldevaporation由蒸发场同时蒸发材料到基片上进行蒸镀的真空蒸发反应型真空蒸发14reactive vacuum evaporation通过与气体反应获得理想化学成分膜层材料的真空蒸发、感应力口热蒸发15induced heatingevaporation蒸发材料通过高频感应涡流加热的蒸发、电子束蒸发16electron beamevaporation通过电子束轰击使蒸发材料加热的蒸发激光束蒸发17laser beamevaporation通过激光束加热蒸发材料的蒸发间接加热蒸发18indirect heatingevaporation通过热传导或热辐射的方式传递热给蒸发材料的蒸发、闪蒸19flash evaporation将极少量的蒸发材料间断的做瞬时的蒸发真空溅射20vacuum sputtering在真空中,惰性气体离子从靶材表面上轰出原子(分子)或原子团的过程、反应性真空溅射21reactive vacuum sputtering通过与气体的反应获得理想化学成分膜层材料的真空溅射、偏压溅射22bias sputtering在溅射过程中,将偏压施加于基片以及膜层的溅射、直流二级溅射23direct currentdiode sputtering通过两个电极间的直流电压,使气体自持放电并把靶作为阴极的溅射、非对称性交流溅射24asymmtric alternatecurrent sputtering通过两个电极间的非对称性交流电压,使气体自持放电并把靶作为吸收较大正离子流的电极、高频二极溅射25high frequencydiode sputtering通过两个电极间的高频电压获得高频放电而使靶材获得负电位的溅射、热阴极直流溅射26hot cathodedirect currentsputtering借助于热阴极和阳极获得非自持气体放电,气体放电所产生的离子,由在阳极和阴极(靶)之间所施加的电压加速而轰击靶的溅射、热阴极高频溅射27hot cathodehigh frequencysputtering借助于热阴极和阳极获得非支持气体放电,气体放电产生的离子,在靶表面负电位的作用下加速而轰击靶的溅射离子束溅射28ion beamsputtering利用特殊的离子源获得的离子束,使靶材溅射的方法、辉光放电清洗29glow dischargecleaning利用辉光放电原理使基片以及膜层表面经受气体放电轰击的清洗过程物理气相沉积30physical vapor deposition PVD在真空状态下,镀膜材料经蒸发或溅射等物理放法汽化,沉积到基片上的一种制取膜层的放法、化学气相沉积31chemical vapordeposition CVD一定化学配比的反应性气体,在特定激活条件下,通过气相化学反应生成新的膜层材料沉积到基片上制取膜层的一种方法、磁控溅射32magnetron sputtering利用靶表面上形成的正交电磁场,把二次电子束缚在靶表面特定区域,来增强电离效率,增加离子密度和能量,从而提高溅射速率的溅射方法、等离子体化学气相沉积33plasma chemistoryvapordeposition通过放电产生的等离子体促进气相化学反应,在低温下,在基片上制取膜层的一种方法、空心阴极离子镀34hollow cathodedischarge deposition利用空心阴极发射大量的电子束,是生烟内镀膜材料蒸发并电离,在基片上的负偏压作用下,离子具有较大的能量,沉积在基片表面上的一种镀膜方法、电弧离子镀35arc dischargedeposition以镀膜材料作为靶极,借助于触发装置,使靶表面产生弧光放电,镀膜材料在电弧作用下,产生无熔池蒸发并沉积在基片上的一种镀膜方法、镀膜室36coating chamber真空镀膜设备中实施实际镀膜过程的部件蒸发器装置37evaporation device在真空镀膜设备中包括蒸发器和全部为其工作所需要的装置例如电能供给、供料和冷却装置等在内的部件、蒸发器38evaporation蒸发直接在其内部进行蒸发的装置,例如小舟形蒸发器,用埸,灯丝,加热板,加热棒,螺旋线圈等等,必要时还包括蒸发材料本身、直接力口热式蒸发器39evaporation bydirect heat蒸发材料本身被加热的蒸发器、间接加热式蒸发器40evaporation byindirect heat蒸发材料通过热传导或热辐射被加热的蒸发器、蒸发场41evaporation field由数个排列的蒸发器加热相同蒸发材料形成的场、溅射装置42sputtering device包括靶和溅射所必要的辅助装置(例如供电装置,气体导入装置等)在内的真空溅射设备的部件、靶43target用粒子轰击的面,靶的意义就是溅射的装置中由溅射材料所组成的电极、挡板44shutter用来在时间上(或)空间上限制镀膜并借此能达到一定膜厚分布的装置,挡板可以是固定的也可以是活动的、时空挡板45timing shutter在时间上能用来限制镀膜的装置,从镀膜的开始、中断到结束都能按规定时间进行控制的装置、掩膜46mask用来遮盖部分基片,在空间上能限制镀膜的装置、基片支架47substrate holder可直接夹持基片的装置,例如夹持装置、框架和类似的夹持装置、夹紧装置48clamp在镀膜设备中支撑一个基片或几个基片的装置,例如夹盘、夹紧装置可以是固定的或活动的、换向装置49reversing device在真空镀膜设备中,不打开设备能将基片、试验玻璃或掩膜放到理想位置上的装置,如基片换向器、试验玻璃换向器,掩膜换向器、基片加热装置50substrate heatingdevice在真空镀膜设备中,通过加热能使一个基片或几个基片达到理想温度的装置、基片冷却装置:51substrate coldingdevice在真空镀膜设备中,通过冷却能使一个基片或几个基片达到理想温度的装置、真空镀膜设备52vacuum coating plant在真空状态下制取膜层的设备、真空蒸发镀膜设备53vacuumevaporationcoating plant借助于蒸发进行真空镀膜的设备真空溅射镀膜设备54vacuumsputteringcoatingplant在借助于真空溅射进行真空镀膜的设备、连续镀膜设备55continuous coatingplant被镀膜物件(单件或带材)连续地从大气压经过压力梯段进入到一个或数个镀膜室,在经过相应的压力梯段,继续离开设备的连续式镀膜设备、半连续镀膜设备56semi-continuous coatingplant被镀物件通过闸门送进镀膜室并从镀膜室取出的真空镀膜设备、连续处理真空镀膜57continuous treatmentvacuum plant能将处理研究的材料或工件连续地送入到真空容器中,并且又能从真空室输出而不必中断设备连续工序的一种真空设备无油真空机组58oil freepump system不用油工作液和不用有机材料密封的真空机组、闸门式真空系统59vacuum systemwith anair-lock在不破坏真空情况下,能将工件或材料通过一个或若干个真空闸室导入或导出的一种真空系统压差真空系统60differentially pumpedvacuum system通过气体节流,使互相连接的各个室分别用单独真空泵抽气以达到维持压差(压降或压力梯段)目的的一种真空系统、进气系统61gas admittancesystem在规定的和控制的条件下,能将气体或气体混合物放入到真空系统的一种装置、抽气装置的抽速62volume flowrate of a pumpingunit在抽气装置进气口测得的抽速、真空容器的升压速率63rate ofpressure riseof avacuum chamber在温度保持不变时,抽气系统关闭后,在给定的时间间隔内容器的压力升高量除以该时间间隔之商该商可能是恒定不变的、极限压力64ultimate pressure泵在工作时,空载干燥的真空容器逐渐接近稳定的最低压力、残余压力65residual pressure经过一定时间的抽气之后还存在于真空容器中的气体或气体混合物的全压、残余气体谱66residual gasspectrum真空容器中残余气体的质谱、基础压力67base pressure在真空容器中可以开始实施工艺时的压力、工作压力68working pressure在真空容器中为实施工艺所必需的压力(可能还有压力范围)、粗抽时间69roughing time前级真空泵或前级真空抽气装置从大气压抽至基础压力或抽至在较低压力下工作的真空泵的起动压力做需要的时间、抽气时间70pump-down time将真空系统的压力从大气压降低到一定压力,例如降低到基础压力所需要的时间、真空系统时间常数71time constantofavacuum system将真空容器中的压力降低到初始压力的所需要的时间,在抽速恒定时,该时间常数为容1/e器体积除以抽气系统的抽速得出之商。